Detail evaluation of electron velocity in GaN HEMTs
Detail evaluation of electron velocity in GaN HEMTs
GaN HEMT 中电子速度的详细评估
批准号：
24560392
负责人：
SUEMITSU Tetsuya
金额：
$3.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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多層SiCN絶縁膜によるAlGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成
使用多层 SiCN 绝缘膜形成用于 AlGaN/GaN HEMT 的倾斜场板
使用多层 SiCN 绝缘膜形成用于 AlGaN/GaN HEMT 的倾斜场板
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S.Sato, S.Kumagai, R.Sugita, 小林健悟，吉田智洋，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也]
通讯作者：
小林健悟，吉田智洋，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也
Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates
具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu]
通讯作者：
and T. Suemitsu
AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks
具有 SiCN 栅极堆叠的 AlGaN/GaN MIS 栅极 HEMT
具有 SiCN 栅极堆叠的 AlGaN/GaN MIS 栅极 HEMT
DOI：
10.1002/pssc.201200609
发表时间：
2013
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
[K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, T. Suemitsu]
通讯作者：
T. Suemitsu
多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制
通过使用多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
通过使用多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小林健悟, 畠山信也, 吉田智洋, 矢部裕平, D. Piedra, T. Palacios, 尾辻泰一, 末光哲也]
通讯作者：
末光哲也
Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs by means of slant field plates fabricated by multi-layer SiCN
通过多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
通过多层 SiCN 制造的倾斜场板抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的电流崩塌
DOI：
10.1016/j.sse.2014.06.022
发表时间：
2014
期刊：
Solid State Electron
影响因子：
1.7
作者：
[Kengo Kobayashi, Shinya Hatakeyama, Tomohiro Yoshida, Daniel Piedra, Tomás Palacios, Taiichi Otsuji, Tetsuya Suemitsu]
通讯作者：
Tetsuya Suemitsu
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