the appearance of surface magnetism beta-FeSi2

表面磁性β-FeSi2的出现

• 批准号: 24760022
• 负责人: NAGANO Takatoshi
• 金额: $ 2万
• 依托单位: Ibaraki University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760022/
• 关键词: 偏析; β-FeSi2; 第一原理計算

We study the atomic and electric structure on the (101) and (100) surface of beta-FeSi2 by ab-initio calculation using the projector augmented wave method (PAW). The cohesive energy calculated with the slab model show that the structure Si layer biased in the surface is stable. The simulated STM images indicate that the charge in the neighborhood of Fermi level concentrated on Fe-Si bonding.Also, Ru films formed by this new process have (002) preferred orientation and Cu (111) was formed by plating. This result corresponded to the tendency predicted by ab initio calculations.

我们采用投影缀加波法（PAW）通过从头算研究了β-FeSi 2（101）和（100）表面的原子和电子结构。用平板模型计算的结合能表明，偏置在表面的结构硅层是稳定的。模拟STM图像表明，费米能级附近的电荷主要集中在Fe-Si键上，Ru膜具有（002）择优取向，Cu膜具有（111）择优取向。这一结果符合从头计算预测的趋势。

项目成果

微細Cu 配線における粒界偏析元素の直接観察と第一原理計算

细小铜互连中晶界偏析元素的直接观察和第一性原理计算

• 发表时间: 2012
• 作者: 永野隆敏;圓谷哲紀,江口大貴,篠嶋妥
• 通讯作者: 圓谷哲紀,江口大貴,篠嶋妥

Cu薄膜の粒成長に及ぼす基板の影響

衬底对Cu薄膜晶粒生长的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: K. Tadatomo;K. Yamane;N. Okada;H. Furuya;and Y. Hashimoto;圓谷哲紀,江口大貴,永野隆敏,篠嶋妥
• 通讯作者: 圓谷哲紀,江口大貴,永野隆敏,篠嶋妥

Cs-Corrected STEM Observation and Atomic Modeling of Grain Boundary Impurities of Very Narrow Cu Interconnect

• DOI: 10.1149/2.001306eel
• 发表时间: 2013
• 期刊: ECS Electrochemistry Letters
• 作者: T. Nagano;Kunihiro Tamahashi;Y. Sasajima;J. Onuki

a-SiGe/SiGe 粒界上偏析構造の第一原理計算

a-SiGe/SiGe晶界偏析结构的第一性原理计算

• 发表时间: 2012
• 作者: 圖師優磨;山田翔世;永野隆敏
• 通讯作者: 永野隆敏

アモルファスSiGe/SiGe粒界上偏析構造の第一原理計算

非晶SiGe/SiGe晶界偏析结构的第一性原理计算

• 作者: K. Tadatomo;N. Okada;K. Yamane;H. Furuya;Y. Hashimoto;永野隆敏
• 通讯作者: 永野隆敏