Fabrication of single-crystalline AlN layer using a novel LPE technique and discussion of the growth mechanism

使用新型 LPE 技术制造单晶 AlN 层并讨论生长机制

• 批准号: 24760611
• 负责人: ADACHI Masayoshi
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24760611/
• 关键词: 窒化アルミニウム; 液相成長; Ga-Alフラックス; 結晶育成; 窒化アルニミウム

AlN is a promising substrate material for AlGaN-based deep UV-LED. Recently, authors investigate an original liquid phase epitaxial growth technique using Ga-Al solution. In this study, it was clarified the role of oxygen in the liquid phase epitaxy technique, and, based on the results, growth mechanism of this technique was discussed. Moreover, we have attempted to grow AlN on nitrided a-plane sapphire template. In consequence, high-quality AlN layer successfully grew using nitrided a-plane sapphire.

AlN是AlGaN基深紫外发光二极管的理想衬底材料。最近，作者研究了一种新颖的使用Ga-Al溶液的液相外延生长技术。本研究阐明了氧在液相外延技术中的作用，并在此基础上讨论了该技术的生长机制。此外，我们还尝试在氮化a面蓝宝石模板上生长AlN。因此，高质量的AlN层成功地使用氮化a平面蓝宝石生长。

项目成果

Ga-Al液相法を用いた窒化サファイア基板上AlN膜成長

Ga-Al液相法在氮化蓝宝石衬底上生长AlN薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: Masayoshi Adachi;Mari Takasugi;Daisuke Morikawa;Kenji Tsuda;Akikazu Tanaka;Hiroyuki Fukuyama;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二
• 通讯作者: 安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二

大気中熱処理によるa面サファイア基板の表面性状の変化と表面窒化に及ぼす影響

大气热处理导致A面蓝宝石衬底表面性能的变化及其对表面氮化的影响

• 发表时间: 2013
• 作者: Masayoshi Adachi;Mari Takasugi;Daisuke Morikawa;Kenji Tsuda;Akikazu Tanaka;Hiroyuki Fukuyama;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二;福山博之,安達正芳;関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之;安達正芳，福山博之，杉山正史，飯田潤二;福山博之，安達正芳;関谷竜太，安達正芳，大塚誠，福山博之;安達正芳,杉山正史,飯田潤二,田中明和,福山博之;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二,田中明和;関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之
• 通讯作者: 関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之

固液界面制御による単結晶AlN膜の結晶成長

固液界面控制单晶AlN薄膜的晶体生长

• 发表时间: 2014
• 作者: Masayoshi Adachi;Mari Takasugi;Daisuke Morikawa;Kenji Tsuda;Akikazu Tanaka;Hiroyuki Fukuyama;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二;福山博之,安達正芳
• 通讯作者: 福山博之,安達正芳

Al極性AlN膜基板上への低酸素分圧下におけるAlN膜液相成長

低氧分压下Al极性AlN薄膜基板上液相生长AlN薄膜

• 发表时间: 2014
• 作者: Masayoshi Adachi;Mari Takasugi;Daisuke Morikawa;Kenji Tsuda;Akikazu Tanaka;Hiroyuki Fukuyama;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二;福山博之,安達正芳;関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之
• 通讯作者: 関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之

Ga-Alフラックスを用いたAlNの液相エピタキシャル成長法の開発

利用Ga-Al助熔剂进行AlN液相外延生长方法的开发

• 发表时间: 2013
• 作者: Masayoshi Adachi;Mari Takasugi;Daisuke Morikawa;Kenji Tsuda;Akikazu Tanaka;Hiroyuki Fukuyama;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二;福山博之,安達正芳;関谷竜太,安達正芳,大塚誠,福山博之;安達正芳，福山博之，杉山正史，飯田潤二;福山博之，安達正芳;関谷竜太，安達正芳，大塚誠，福山博之;安達正芳,杉山正史,飯田潤二,田中明和,福山博之;安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二,田中明和
• 通讯作者: 安達正芳,福山博之,杉山正史,飯田潤二,田中明和