Formation process of embedded luminescent Si nanocrystals with ion and laser beams
Formation process of embedded luminescent Si nanocrystals with ion and laser beams
离子束和激光束嵌入式发光硅纳米晶体的形成过程
批准号：
25390124
负责人：
IWAYAMA TSUTOMU
金额：
$3.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Luminescent Si nanocrystals synthesized by Si ion implantation and reactive pulsed laser deposition: the effects of RTA, excimer-UV and e-Beam irradiation.
通过硅离子注入和反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束照射的影响。
通过硅离子注入和反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束照射的影响。
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
International Journal of Chemical, Molecular, Nuclear, Materials and Metallurgical Engineering
影响因子：
--
作者：
[M. Murakami, S. Goto, K. Ooe, D. Sato, S. Tsuto, N. Goto, T. Koyama, R. Aono, H. Haba, M. Huang, H. Kudo, Shigeru Ono, 押見吉成，後藤真一，大江一弘，工藤久昭, Shigeru Ono, T.S.Iwayama and T.Hama]
通讯作者：
T.S.Iwayama and T.Hama
Luminescent Si nanocrystals formed in SiO2 by ion implantation.
通过离子注入在 SiO2 中形成发光硅纳米晶体。
通过离子注入在 SiO2 中形成发光硅纳米晶体。
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Murakami, S. Goto, K. Ooe, D. Sato, S. Tsuto, N. Goto, T. Koyama, R. Aono, H. Haba, M. Huang, H. Kudo, Shigeru Ono, 押見吉成，後藤真一，大江一弘，工藤久昭, Shigeru Ono, T.S.Iwayama and T.Hama, T.S.Iwayama and T.Hama, 浅井貴裕，後藤真一，大江一弘，工藤久昭, Shigeru Ono, T.S.Iwayama]
通讯作者：
T.S.Iwayama
Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Lim, YM, Yamasaki, Y., Tsuda L., T.S.Iwayama, Tsuda L., T.S. Iwayama]
通讯作者：
T.S. Iwayama
Luminescent Si nanocrystals synthesized by reactive pulsed laser deposition
反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体
反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.S.Iwayama, K.Ogihara]
通讯作者：
K.Ogihara
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