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Formation process of embedded luminescent Si nanocrystals with ion and laser beams
离子束和激光束嵌入式发光硅纳米晶体的形成过程
基本信息
- 批准号：25390124
- 负责人：
- 金额：$ 3.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Luminescent Si nanocrystals synthesized by Si ion implantation and reactive pulsed laser deposition: the effects of RTA, excimer-UV and e-Beam irradiation.
通过硅离子注入和反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束照射的影响。
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Murakami;S. Goto;K. Ooe;D. Sato;S. Tsuto;N. Goto;T. Koyama;R. Aono;H. Haba;M. Huang;H. Kudo;Shigeru Ono;押見吉成，後藤真一，大江一弘，工藤久昭;Shigeru Ono;T.S.Iwayama and T.Hama
- 通讯作者：T.S.Iwayama and T.Hama
Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Lim;YM;Yamasaki;Y.;Tsuda L.;T.S.Iwayama;Tsuda L.;T.S. Iwayama
- 通讯作者：T.S. Iwayama
Luminescent Si nanocrystals formed in SiO2 by ion implantation.
通过离子注入在 SiO2 中形成发光硅纳米晶体。
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Murakami;S. Goto;K. Ooe;D. Sato;S. Tsuto;N. Goto;T. Koyama;R. Aono;H. Haba;M. Huang;H. Kudo;Shigeru Ono;押見吉成，後藤真一，大江一弘，工藤久昭;Shigeru Ono;T.S.Iwayama and T.Hama;T.S.Iwayama and T.Hama;浅井貴裕，後藤真一，大江一弘，工藤久昭;Shigeru Ono;T.S.Iwayama
- 通讯作者：T.S.Iwayama
Luminescent Si nanocrystals synthesized by reactive pulsed laser deposition
反应脉冲激光沉积合成的发光硅纳米晶体
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.S.Iwayama;K.Ogihara
- 通讯作者：K.Ogihara
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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