Fabrication of oxide-semiconductor pn diodes by UV oxidation of metallic thin films: Aiming for printed electronics
Fabrication of oxide-semiconductor pn diodes by UV oxidation of metallic thin films: Aiming for printed electronics
通过金属薄膜的紫外线氧化制造氧化物半导体 pn 二极管：瞄准印刷电子产品
批准号：
25420283
负责人：
Nozaki Shinji
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Visible-blind UV sensor made by UV oxidation of metallic zinc on p-Si
多晶硅上金属锌的紫外氧化制成的可见盲紫外传感器
多晶硅上金属锌的紫外氧化制成的可见盲紫外传感器
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Dongyuan Zhang, Kazuo Uchida and Shinji Nozaki]
通讯作者：
Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
亜鉛、ニッケル酸化物トランジスタの低温作製と地球にやさしいフレキしグルエレクトロニクスの実現
低温制造氧化锌和氧化镍晶体管并实现地球友好型柔性电子产品
低温制造氧化锌和氧化镍晶体管并实现地球友好型柔性电子产品
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Takahashi, H . Takenaka, T. Uchida, M. Arita, A. Fujiwara, and H. Inokaw, 張 東元]
通讯作者：
張 東元
DOI：
10.1116/1.4868634
发表时间：
2014-03
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
[Dongyuan Zhang;S. Nozaki;K. Uchida]
通讯作者：
Dongyuan Zhang;S. Nozaki;K. Uchida
Low temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass
旋涂玻璃上紫外照射低温形成高质量栅极氧化物
旋涂玻璃上紫外照射低温形成高质量栅极氧化物
DOI：
10.1063/1.4935208
发表时间：
2015
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
--
作者：
[R. Usuda, K. Uchida, and S. Nozaki]
通讯作者：
and S. Nozaki
UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製
紫外氧化法制备 p-NiO/n-Si 异质结二极管
紫外氧化法制备 p-NiO/n-Si 异质结二极管
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[張 東元, 内田和男, 野崎眞次]
通讯作者：
野崎眞次
共 9 条
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