Fabrication of oxide-semiconductor pn diodes by UV oxidation of metallic thin films: Aiming for printed electronics

通过金属薄膜的紫外线氧化制造氧化物半导体 pn 二极管：瞄准印刷电子产品

• 批准号: 25420283
• 负责人: Nozaki Shinji
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: The University of Electro-Communications
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420283/
• 关键词: 紫外光; 光酸化; 酸化物半導体; ニッケル; 亜鉛; FET; フレキシブルエレクトロニクス; プリンテッドエレクトロニクス

项目成果

Visible-blind UV sensor made by UV oxidation of metallic zinc on p-Si

多晶硅上金属锌的紫外氧化制​​成的可见盲紫外传感器

• 发表时间: 2014
• 作者: Dongyuan Zhang;Kazuo Uchida and Shinji Nozaki
• 通讯作者: Kazuo Uchida and Shinji Nozaki

亜鉛、ニッケル酸化物トランジスタの低温作製と地球にやさしいフレキしグルエレクトロニクスの実現

低温制造氧化锌和氧化镍晶体管并实现地球友好型柔性电子产品

• 作者: Y. Takahashi;H . Takenaka;T. Uchida;M. Arita;A. Fujiwara;and H. Inokaw;張 東元
• 通讯作者: 張 東元

NiO/Si heterostructures formed by UV oxidation of nickel deposited on Si substrates

• DOI: 10.1116/1.4868634
• 发表时间: 2014-03
• 期刊: Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
• 作者: Dongyuan Zhang;S. Nozaki;K. Uchida

Low temperature formation of high-quality gate oxide by ultraviolet irradiation on spin-on-glass

旋涂玻璃上紫外照射低温形成高质量栅极氧化物

• DOI: 10.1063/1.4935208
• 发表时间: 2015
• 期刊: Appl. Phys. Lett.
• 作者: R. Usuda;K. Uchida;and S. Nozaki
• 通讯作者: and S. Nozaki

UV酸化によるp-NiO/n-Siヘテロ接合ダイオードの作製

紫外氧化法制备 p-NiO/n-Si 异质结二极管

• 作者: 張 東元;内田和男;野崎眞次
• 通讯作者: 野崎眞次