Development of rapid growth technique of beta-Ga2O3 for power device applications by halide vapor phase epitaxy
Development of rapid growth technique of beta-Ga2O3 for power device applications by halide vapor phase epitaxy
开发用于功率器件应用的卤化物气相外延快速生长技术
批准号：
25420307
负责人：
Garcia Villora
金额：
$3.24万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Halide vapor phase epitaxy of α-Ga2O3
α-Ga2O3 卤化物气相外延
α-Ga2O3 卤化物气相外延
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuichi Oshima, Encarnacion G. Villora, and Kiyoshi Shimamura]
通讯作者：
and Kiyoshi Shimamura
β－Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の製造方法及びβ―Ｇａ２Ｏ３単結晶膜付きサファイア基板
β-Ga2O3单晶薄膜的制造方法及具有β-Ga2O3单晶薄膜的蓝宝石衬底
β-Ga2O3单晶薄膜的制造方法及具有β-Ga2O3单晶薄膜的蓝宝石衬底
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.7567/apex.8.055501
发表时间：
2015-05-01
期刊：
APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子：
2.3
作者：
[Oshima, Yuichi, Vllora, Encarnacion G., Shimamura, Kiyoshi]
通讯作者：
Shimamura, Kiyoshi
異種基板上のβ-Ga2O3のHVPE成長
β-Ga2O3 在异质基底上的 HVPE 生长
β-Ga2O3 在异质基底上的 HVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
日本結晶成長学会誌
影响因子：
--
作者：
[大島祐一, ガルシア ビジョラ, 島村清史]
通讯作者：
島村清史
β－Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファ イア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法
β-Ga2O3单晶层的制造方法、具有β-Ga2O3单晶层的蓝宝石基板、β-Ga2O3自支撑单晶及其制造方法
β-Ga2O3单晶层的制造方法、具有β-Ga2O3单晶层的蓝宝石基板、β-Ga2O3自支撑单晶及其制造方法
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 9 条
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