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Wafer level integration of nitride semiconductor device and Si CMOS integrated circuit for sensor application

Wafer level integration of nitride semiconductor device and Si CMOS integrated circuit for sensor application
氮化物半导体器件和传感器应用Si CMOS集成电路的晶圆级集成
批准号：
25420330
负责人：
Okada Hiroshi
金额：
$3.41万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420330/
关键词：
窒化物半導体シリコン集積回路一体化技術デバイス作製技術半導体欠陥評価LEDトランジスタ表面パッシベーション異種基板接合イオン注入技術欠陥評価窒化物半導体におけるダメージ評価

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Study of Proton Irradiation Effects on p- and n-Type GaN Based-on Two-Terminal Resistance Dependence on 380keV Proton Fluence
基于380keV质子注量的两端电阻依赖性的p型和n型GaN质子辐照效应研究
DOI： 10.1587/transele.e97.c.409
发表时间： 2014
期刊： IEICE Transactions on Electronics
影响因子： 0.5
作者： [H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, and T. Ohshima]
通讯作者： and T. Ohshima
イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製
使用离子注入技术制造平面 GaN-LED
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [上月 誠也, 土山 和晃, 山根 啓輔, 関口 寛人, 岡田 浩, 若原 昭浩]
通讯作者： 若原 昭浩
Proton Irradiation Enhancement of Low-Field Negative Magnetoresistance Sensitivity of AlGaN/GaN-Based Magnetic Sensor at Cryogenic Temperature
低温下质子辐照增强 AlGaN/GaN 基磁传感器低场负磁阻灵敏度
DOI： 10.1109/led.2014.2358613
发表时间： 2014
期刊： IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子： 4.9
作者： [Abdelkader Abderrahmane, Pil Ju Ko, Hiroshi Okada, Shin-Ichiro Sato, Takeshi Ohshima, Adarsh Sandhu]
通讯作者： Adarsh Sandhu
Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積
使用 Si/SiO2/GaN-LED 结构单片集成 Si-MOSFET 和 LED
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [土山和晃, 宇都宮脩, 中川翔太, 山根啓補, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩]
通讯作者： 若原昭浩
共 31 条
    Functional analysis of microRNA/let-7 in skeletal muscle atrophy and glucose metabolism
    • 批准号：
      19K17966
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
    • 资助金额：
      $2.08万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Okada Hiroshi
    • 依托单位：
      Kyoto Prefectural University of Medicine
    Development and application of organic n-type dopant using novel lithium-containing fullerene
    GaN-based integrated electronics operable in harsh environment
    • 批准号：
      17K06383
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Okada Hiroshi
    • 依托单位：
      Toyohashi University of Technology
    Nonlinear fracture mechanics analyses considering the material nonuniformities in and the vicinities of welded joints
    • 批准号：
      16K05988
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Okada Hiroshi
    • 依托单位：
      Tokyo University of Science
    海外基金