GaN-based integrated electronics operable in harsh environment
GaN-based integrated electronics operable in harsh environment
批准号:
17K06383
负责人:
Okada Hiroshi
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2020-03-31
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DOI:
10.1002/pssa.201900550
发表时间:
2019-11
期刊:
physica status solidi (a)
影响因子:
--
作者:
[H. Okada;Kiyomasa Miwa;Taichi Yokoyama;K. Yamane;A. Wakahara;H. Sekiguchi]
通讯作者:
H. Okada;Kiyomasa Miwa;Taichi Yokoyama;K. Yamane;A. Wakahara;H. Sekiguchi
イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)
离子注入法控制氮化物半导体电性能及其在集成电路中的应用研究(2)
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
--
作者:
[横山 太一, 三輪 清允, 岡田 浩, 関口 寛人, 山根 啓輔, 若原 昭浩]
通讯作者:
若原 昭浩
基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用
利用基态氧原子化学气相沉积氧化硅薄膜的氮化物半导体应用
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[馬場真人, 垣内佑斗, 岡田浩, 古川雅一, 山根啓輔, 関口寛人, 若原昭浩]
通讯作者:
若原昭浩
表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2)
表面波等离子体增强化学气相沉积氧化硅薄膜的沉积与评价(2)
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[馬場 真人, 中村 健人, 岡田 浩, 古川 雅一, 山根 啓輔, 関口 寛人, 若原 昭浩]
通讯作者:
若原 昭浩
GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs
采用单片集成阈值控制 MOSFET 的 GaN 逆变器
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Hiroto Sekiguchi , Kiyomasa Miwa , Keisuke Yamane , Akihiro Wakahara , Hiroshi Okada]
通讯作者:
Hiroshi Okada
共 13 条
Functional analysis of microRNA/let-7 in skeletal muscle atrophy and glucose metabolism
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批准号:19K17966
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$2.08万
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财政年份:2019
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
Development and application of organic n-type dopant using novel lithium-containing fullerene
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批准号:17K04970
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2017
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
Nonlinear fracture mechanics analyses considering the material nonuniformities in and the vicinities of welded joints
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批准号:16K05988
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.08万
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财政年份:2016
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
Development and evaluate of a health educational program for "health support pharmacy"
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批准号:16K08434
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2016
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
Wafer level integration of nitride semiconductor device and Si CMOS integrated circuit for sensor application
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批准号:25420330
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.41万
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财政年份:2013
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
Nonlinear 3-D crack propagation analysis with arbitrary crack shape based on a remeshing technique
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批准号:25390157
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.24万
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财政年份:2013
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负责人:Okada Hiroshi
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依托单位:
海外基金