Fabrication processes of GaN-based integrated surface-emitting devices using a chemical liftoff techniques
采用化学剥离技术的 GaN 基集成表面发射器件的制造工艺
基本信息
- 批准号:25420341
- 负责人:
- 金额:$ 3.24万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
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- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Narutani;T. Yamaguchi;K. Wang;T .Araki;Y. Nanishi;L. Sang;M. Sumiya;S. Fujioka;T. Onuma and T. Honda
- 通讯作者:T. Onuma and T. Honda
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- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H. Nagai;T. Yamaguchi;T. Onuma;I. Takano;T. Honda;M. Sato
- 通讯作者:M. Sato
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- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:尾沼猛儀;東脇正高;本田徹他4名
- 通讯作者:本田徹他4名
Ga2O3基板の光学特性評価
Ga2O3衬底的光学性能评价
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:尾沼 猛儀;山口 智広;伊藤 雄三;本田 徹;佐々木 公平;増井 建和;東脇 正高
- 通讯作者:東脇 正高
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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