Fabrication processes of GaN-based integrated surface-emitting devices using a chemical liftoff techniques

采用化学剥离技术的 GaN 基集成表面发射器件的制造工艺

基本信息

  • 批准号:
    25420341
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
通过 RF-MBE 生长 pn-GaInN 结构并制造同质结型发光二极管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Narutani;T. Yamaguchi;K. Wang;T .Araki;Y. Nanishi;L. Sang;M. Sumiya;S. Fujioka;T. Onuma and T. Honda
  • 通讯作者:
    T. Onuma and T. Honda
表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響
表面氧化物对GaN表面费米能级的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    網谷良介;多次見大樹;杉浦洋平;山口智広;本田徹
  • 通讯作者:
    本田徹
Fabrication of Copper Thin Films Using the Molecular Precursor Method
使用分子前体法制备铜薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Nagai;T. Yamaguchi;T. Onuma;I. Takano;T. Honda;M. Sato
  • 通讯作者:
    M. Sato
Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼猛儀;東脇正高;本田徹他4名
  • 通讯作者:
    本田徹他4名
Ga2O3基板の光学特性評価
Ga2O3衬底的光学性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    尾沼 猛儀;山口 智広;伊藤 雄三;本田 徹;佐々木 公平;増井 建和;東脇 正高
  • 通讯作者:
    東脇 正高
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Honda Tohru其他文献

新潟県野地遺跡における縄文時代晩期の暦年代とクリ利用
新泻县野寺遗址绳文时代后期的历法年代和栗子的使用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Harada Kentaro;Funamori Nobumasa;Yamamoto Naoto;Shimosaki Yoshito;Shimada Miho;Miyajima Tsukasa;Umemori Kensei;Sakai Hiroshi;Nakamura Norio;Sakanaka Shogo;Kobayashi Yukinori;Honda Tohru;Nozawa Shunsuke;Nakao Hironori;Niwa Yasuhiro;Wakabayashi Daisuke;Amem;Ryoichiro Kageyama;川越敏司;荒川隆史・木村勝彦
  • 通讯作者:
    荒川隆史・木村勝彦
MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
AlGaN/GaN-on-Si 模板上生长的 InGaN/GaN 异质结构的 MOCVD 生长和研究
  • DOI:
    10.3390/app9091746
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen
  • 通讯作者:
    Sang Liwen
Investigation of the adsorption structure of CuPc on NaCl/Ag(111) using STM
使用 STM 研究 CuPc 在 NaCl/Ag(111) 上的吸附结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsuura Haruka;Onuma Takeyoshi;Sumiya Masatomo;Yamaguchi Tomohiro;Ren Bing;Liao Meiyong;Honda Tohru;Sang Liwen;Rafael Jaculbia
  • 通讯作者:
    Rafael Jaculbia
Development of Cryogenic Accelerometer for Vibration Measurement in KAGRA Cryostat-Ⅱ
KAGRA Cryostat-II 振动测量低温加速度计的研制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Rishabh Bajpai;Takayuki Tomaru;Honda Tohru;Nobuhiro Kimura;Toshikazu Suzuki;Takafumi Ushiba;Kazuhiro Yamamoto;Kunihiko Hasegawa;Takaharu Shishido;et al.
  • 通讯作者:
    et al.
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量
  • DOI:
    10.3390/cryst9120631
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi
  • 通讯作者:
    Nanishi Yasushi

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  • 发表时间:
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    $ 3.24万
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    11J01162
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 3.24万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
窒化物半導体微細構造制御による蛍光体フリー高効率多波長発光ダイオードの開発
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  • 批准号:
    08J08293
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
分子線エピタキシー法による酸化ガリウム系深紫外発光ダイオードの作製と評価
分子束外延法制备氧化镓基深紫外发光二极管并对其进行评价
  • 批准号:
    08J06591
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
発光ダイオードを用いた実践的技術者育成のための教材開発に関する研究
发光二极管应用工程师培训教材开发研究
  • 批准号:
    19918036
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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