Fabrication processes of GaN-based integrated surface-emitting devices using a chemical liftoff techniques
Fabrication processes of GaN-based integrated surface-emitting devices using a chemical liftoff techniques
采用化学剥离技术的 GaN 基集成表面发射器件的制造工艺
批准号：
25420341
负责人：
Honda Tohru
金额：
$3.24万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Growth of pn-GaInN structures by RF-MBE and fabrication of homojunction-type light emitting diodes
通过 RF-MBE 生长 pn-GaInN 结构并制造同质结型发光二极管
通过 RF-MBE 生长 pn-GaInN 结构并制造同质结型发光二极管
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Narutani, T. Yamaguchi, K. Wang, T .Araki, Y. Nanishi, L. Sang, M. Sumiya, S. Fujioka, T. Onuma and T. Honda]
通讯作者：
T. Onuma and T. Honda
表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位に及ぼす影響
表面氧化物对GaN表面费米能级的影响
表面氧化物对GaN表面费米能级的影响
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[網谷良介, 多次見大樹, 杉浦洋平, 山口智広, 本田徹]
通讯作者：
本田徹
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Nagai, T. Yamaguchi, T. Onuma, I. Takano, T. Honda, M. Sato]
通讯作者：
M. Sato
Polarized Raman Spectra in beta-Ga2O3 Crystals
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
β-Ga2O3 晶体中的偏振拉曼光谱
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼猛儀, 東脇正高, 本田徹他4名]
通讯作者：
本田徹他4名
Ga2O3基板の光学特性評価
Ga2O3衬底的光学性能评价
Ga2O3衬底的光学性能评价
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[尾沼 猛儀, 山口 智広, 伊藤 雄三, 本田 徹, 佐々木 公平, 増井 建和, 東脇 正高]
通讯作者：
東脇 正高
共 172 条
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