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Characterization of Resistive Switching Behaviors of Si-rich Oxide ReRAMs

Characterization of Resistive Switching Behaviors of Si-rich Oxide ReRAMs
富硅氧化物 ReRAM 电阻开关行为的表征
批准号:
25790058
负责人:
OHTA AKIO
金额:
$2.75万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2015-03-31

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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 宮崎 誠一
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DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: and S. Miyazaki
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DOI: --
发表时间: 2014
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影响因子: --
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DOI: --
发表时间: 2014
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作者: [荒井 崇, 劉 沖, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮崎 誠一]
通讯作者: 宮崎 誠一
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