An IoT that can keep on running over years efficiently and reliably

物联网可以高效可靠地持续运行数年

基本信息

  • 批准号：
    15H02677
  • 负责人：
    Kobayashi Kazutoshi
  • 金额：
    $ 10.23万
  • 依托单位：
    Kyoto Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Impact of cell distance and well-contact density on neutron-induced Multiple Cell Upsets
A Non-Redundant Low-Power Flip Flop with Stacked Transistors in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
采用 65 nm 薄盒 FDSOI 工艺的非冗余低功耗触发器，具有堆叠晶体管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    H. Maruoka;M. Hifumi;J. Furuta;and K. Kobayashi
  • 通讯作者：
    and K. Kobayashi
imec(ベルギー)
比利时imec
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Evaluation of Heavy-Ion-Induced SEU Cross Sections of a 65 nm Thin BOX FD-SOI Flip-Flops Based on Stacked Inverter
基于堆叠逆变器的 65 nm 薄 BOX FD-SOI 触发器的重离子诱导 SEU 横截面评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    遠藤 侑介;松本 宗太郎;上野 雄大;住井 英二郎;松本 行弘;T. Ikeda and M. Nagahara;M. Watanabe;合志清一;山岡吉生;Jun Furuta
  • 通讯作者：
    Jun Furuta
A Low-Power Radiation-Hardened Flip-Flop with Stacked Transistors in a 65 nm FDSOI Process
采用 65 nm FDSOI 工艺的具有堆叠晶体管的低功耗抗辐射触发器
  • DOI：
    10.1587/transele.e101.c.273
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    MARUOKA Haruki;HIFUMI Masashi;FURUTA Jun;KOBAYASHI Kazutoshi
  • 通讯作者：
    KOBAYASHI Kazutoshi
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Kobayashi Kazutoshi其他文献

Evaluation of Soft Error Tolerance of Redundant Flip-Flop in 65nm Bulk and FD-SOI Processes.
65nm Bulk 和 FD-SOI 工艺中冗余触发器的软错误容限评估。
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Sonezaki Eiji;K. Kubota;Masuda Masaki;Kanda Shohei;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
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一种利用主导时间常数近似的功率器件瞬态仿真高效准确的时间步长控制方法
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根据 65 nm FDSOI 晶体管阈值电压评估触发器的软错误容限
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ebara Mitsunori;Maruoka Haruki;Y. Kodai;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi
  • 通讯作者：
    Kobayashi Kazutoshi
A 65 nm Low-Power Adaptive-Coupling Redundant Flip-Flop
65 nm 低功耗自适应耦合冗余触发器
  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 作者：
    Masuda Masaki;K. Kanto;Yamamoto Ryosuke;Furuta Jun;Kobayashi Kazutoshi;O. Hidetoshi
  • 通讯作者：
    O. Hidetoshi

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  • 资助金额：
    $ 10.23万
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