An IoT that can keep on running over years efficiently and reliably
An IoT that can keep on running over years efficiently and reliably
物联网可以高效可靠地持续运行数年
批准号：
15H02677
负责人：
Kobayashi Kazutoshi
金额：
$10.23万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2019-03-31
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DOI：
10.1587/transele.e98.c.298
发表时间：
2013-04
期刊：
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
影响因子：
--
作者：
[J. Furuta;Kazutoshi Kobayashi;H. Onodera]
通讯作者：
J. Furuta;Kazutoshi Kobayashi;H. Onodera
A Non-Redundant Low-Power Flip Flop with Stacked Transistors in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
采用 65 nm 薄盒 FDSOI 工艺的非冗余低功耗触发器，具有堆叠晶体管
采用 65 nm 薄盒 FDSOI 工艺的非冗余低功耗触发器，具有堆叠晶体管
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Maruoka, M. Hifumi, J. Furuta, and K. Kobayashi]
通讯作者：
and K. Kobayashi
imec(ベルギー)
比利时imec
比利时imec
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
A Low-Power Radiation-Hardened Flip-Flop with Stacked Transistors in a 65 nm FDSOI Process
采用 65 nm FDSOI 工艺的具有堆叠晶体管的低功耗抗辐射触发器
采用 65 nm FDSOI 工艺的具有堆叠晶体管的低功耗抗辐射触发器
DOI：
10.1587/transele.e101.c.273
发表时间：
2018
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
[MARUOKA Haruki, HIFUMI Masashi, FURUTA Jun, KOBAYASHI Kazutoshi]
通讯作者：
KOBAYASHI Kazutoshi
Evaluation of Heavy-Ion-Induced SEU Cross Sections of a 65 nm Thin BOX FD-SOI Flip-Flops Based on Stacked Inverter
基于堆叠逆变器的 65 nm 薄 BOX FD-SOI 触发器的重离子诱导 SEU 横截面评估
基于堆叠逆变器的 65 nm 薄 BOX FD-SOI 触发器的重离子诱导 SEU 横截面评估
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[遠藤 侑介, 松本 宗太郎, 上野 雄大, 住井 英二郎, 松本 行弘, T. Ikeda and M. Nagahara, M. Watanabe, 合志清一, 山岡吉生, Jun Furuta]
通讯作者：
Jun Furuta
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