Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity
Nano MOSFET 波动和器件完整性
基本信息
- 批准号:18063006
- 负责人:
- 金额:$ 32.77万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Random variability has been studied by measurements and simulation. It has been clarified that SOI MOSFETs with very thin buried oxide is less sensitive to random dopant fluctuations. A new method of self-suppression of variability after chip fabrication has been proposed and its validity has been demonstrated by simulation.
通过测量和模拟研究了随机变异性。已经澄清的是,具有非常薄的掩埋氧化物的SOI MOSFET对随机掺杂剂波动不太敏感。提出了一种新的芯片制造后变异性自抑制方法,并通过仿真验证了该方法的有效性。
项目成果
期刊论文数量(68)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Measurements and characterization of statistical variability
统计变异性的测量和表征
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yutaro;Mukudai・Tomotsugu;Shimokawa・Akihiro;Nakatani;T.Hiramoto
- 通讯作者:T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
通过后加工自收敛技术改善 SRAM 中的静态噪声容限
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto
- 通讯作者:T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
利用后加工自收敛技术改进静态噪声容限SRAM
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto;Makoto Suzuki
- 通讯作者:Makoto Suzuki
Vth Dependence of Vth Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs with Ultra-Thin BOX
具有超薄 BOX 的本征通道 SOI MOSFET 中 Vth 变化的 Vth 依赖性
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:C.Lee;A.T.Putra;K.Shimizu;T.Hiramoto
- 通讯作者:T.Hiramoto
Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs
纳米级 MOSFET 中栅极边缘波动引起的随机 Vth 变化
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A.T.Putra;A.Nishida;S.Kamohara;T.Hiramoto
- 通讯作者:T.Hiramoto
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$ 32.77万 - 项目类别:
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