Nano MOSFET Fluctuations and Device Integrity

Nano MOSFET 波动和器件完整性

基本信息

  • 批准号:
    18063006
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 32.77万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Random variability has been studied by measurements and simulation. It has been clarified that SOI MOSFETs with very thin buried oxide is less sensitive to random dopant fluctuations. A new method of self-suppression of variability after chip fabrication has been proposed and its validity has been demonstrated by simulation.
通过测量和模拟研究了随机变异性。已经澄清的是,具有非常薄的掩埋氧化物的SOI MOSFET对随机掺杂剂波动不太敏感。提出了一种新的芯片制造后变异性自抑制方法,并通过仿真验证了该方法的有效性。

项目成果

期刊论文数量(68)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Measurements and characterization of statistical variability
统计变异性的测量和表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yutaro;Mukudai・Tomotsugu;Shimokawa・Akihiro;Nakatani;T.Hiramoto
  • 通讯作者:
    T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin in SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
通过后加工自收敛技术改善 SRAM 中的静态噪声容限
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto
  • 通讯作者:
    T.Hiramoto
Improvement of Static Noise Margin SRAM by Post-Fabrication Self-Convergence Technique
利用后加工自收敛技术改进静态噪声容限SRAM
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Suzuki;T.Saraya;K.Shimizu;T.Sakurai;T.Hiramoto;Makoto Suzuki
  • 通讯作者:
    Makoto Suzuki
Vth Dependence of Vth Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs with Ultra-Thin BOX
具有超薄 BOX 的本征通道 SOI MOSFET 中 Vth 变化的 Vth 依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C.Lee;A.T.Putra;K.Shimizu;T.Hiramoto
  • 通讯作者:
    T.Hiramoto
Random Vth Variation Induced by Gate Edge Fluctuations in Nanoscale MOSFETs
纳米级 MOSFET 中栅极边缘波动引起的随机 Vth 变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A.T.Putra;A.Nishida;S.Kamohara;T.Hiramoto
  • 通讯作者:
    T.Hiramoto
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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