权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発

太阳能电池用高品质多晶硅锭生长技术开发

基本信息

批准号：
14F04356
负责人：
宇佐美徳隆
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-25 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、太陽電池用高品質多結晶インゴットの成長法として、ルツボ底部に粒状シリコンを一層のみ敷き詰めた後、その上からさらに窒化珪素離型剤をコーティングし、その後は一般的なキャスト法と同様に原料をすべて溶かしインゴットを成長する方法を提案している。この方法で目指す多結晶は、直径数mm程度の均質な微細粒と、高いランダム粒界密度を有する。ランダム粒界により結晶中の歪みが緩和されることで転位発生が抑制される。一般的な製造法と比較して、本研究提案の手法では、種結晶を使用しないため、種結晶を溶融させないための精密な温度制御は不要である。また、種結晶を介した不純物拡散の増加がないため歩留りの低下が抑えられると考えられる。さらに、核生成制御にシリコンを使用するため、インゴットへの不純物混入を避けることができる。本年度は、底に敷き詰めるシリコンの形状を直径1～数mm程度の粒状、不定形のチャンクを用いて成長を行い、その効果について検討した。その結果、いずれの結晶でも、従来技術で成長した結晶よりも転位密度が低下することが分かった。転位密度のインゴット下部から上部に向かう増加率は、チャンクを用いた場合の方が粒状シリコンと比較して大きいことがわかった。粒状シリコンおよびチャンクを用いて成長した結晶では、インゴット端部の不純物汚染領域の幅が、従来法と比較して低下した。この結果は、核生成制御にシリコンを使用することにより、インゴットへの不純物混入を避けることができるという予測を実証するものである。

This research is based on the growth method of high-quality polycrystalline polycrystalline for solar cells. The base of the ツボ granular シリコンを is a layer of のみ, and the き诘めた is applied, and the その上からさらにThe suffocation of the type of sterilization をコーティングし, the normal なキャスト法と様にraw materialをすべてsolubleかしインゴットをgrowthするmethodをproposalしている. The object of the method is polycrystalline, homogeneous fine particles with a diameter of several millimeters, and high particle boundary density.ランダムGrain boundary によりThe distortion in the crystal is relaxed and the development of the position is suppressed. General manufacturing methods and comparisons, techniques proposed in this study, use of seed crystals, melting of seed crystals, precision temperature control, and no need for them.また, seed crystallization, した impurities, scattered, のincrease, がないため歩stay, りのlow, がえられるとtest, えられる. Use するため and インゴットへの impurities mixed with をavoid けることができる. This year's base is in a granular shape with a diameter of about 1 to several millimeters. , Amorphous のチャンクを Use いて Growth を行い, その Effect について検 question した.そのRESULTS, いずれの Crystallization, でででたCrystalization, よりも転, bit density がlowering, することが分かった due to technology. Bit Density Lower Part Upper Part Upper Part Increase Rate は、チャンクをUse the granular シリコンと in the occasion of the いた. The granular シリコンおよびチャンクを is made of いて grown した crystallized では, the インゴット end is not impurity-contaminated area のwidth が, and the method is relatively low した.このRESULTは、nuclear generation control にシリコンを use することにより、インゴットWhen impurities are mixed in, it is easy to avoid and prevent them.