Research on carrier selective contact materials for monocrystalline silicon solar cells

单晶硅太阳能电池载流子选择性接触材料的研究

基本信息

  • 批准号:
    17F17723
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.47万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-26 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

高い透明度と導電性を両立するキャリア選択性材料として酸化チタンに注目し、スパッタリング法および原子層堆積法による薄膜作製と特性評価を実施した。高い導電を得るためにニオブをドーピングした酸化チタン薄膜の作製には、スパッタリング法を用いた。堆積速度、基板温度、ガス流量、成膜時の圧力およびポストアニーリングプロセスの影響についての調査を実施し、最適な条件のもとで、結晶シリコン太陽電池の透明導電膜として十分な透明度と導電性を達成することができた。太陽電池への実装には、界面でのキャリア再結合速度を十分に低くすることが必要とされる。界面のパッシベーション性能については、低いダメージでの成膜が可能である原子層堆積法を用いて調査を実施した。基板温度とポストアニーリング温度を系統的に変化させるとともに、結晶シリコンとの界面に酸化アルミニウム膜を導入し、その効果を調べた。その結果、n型シリコン基板、p型シリコン基板のいずれにおいても実効少数キャリア寿命が2ミリ秒を超える良好な特性を実現することができた。高いパッシベーションを有する膜の上に、さらにニオブをドーピングした酸化チタン膜を堆積させると、成膜時のダメージによりパッシベーション性能が低下することがわかった。このダメージは、ポストアニールにより一部は回復可能であるが、さらなる高性能化が課題である。また太陽電池への実装においては、電極材料とオーミック接触を得るためのプロセス開発が必要である。
High transparency, conductivity, and selectivity of thin films High conductivity, high conductivity, high conductivity The investigation of the influence of deposition speed, substrate temperature, temperature flow rate, pressure and temperature on film formation, optimum conditions, crystallization and conductivity of transparent conductive films for solar cells, etc. Solar cell assembly, interface separation and recombination speed is very low, this is necessary. The film formation is possible by atomic layer deposition method. The temperature of the substrate is adjusted according to the temperature of the substrate. As a result, n-type semiconductor substrates and p-type semiconductor substrates have excellent performance with a small lifetime of 2 seconds. The film is deposited on the top and bottom of the film, and the film is deposited on the bottom and bottom of the film. The film performance is low. The problem of high performance is not solved. It is necessary to develop solar cells in the process of assembly, electrode materials and contact.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Controllable Optical and Electrical Properties of Nb Doped TiO2 Films by RF Sputtering
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

宇佐美 徳隆其他文献

シリコンナノ結晶/酸化シリコンを複合化した導電性パッシベーション膜の検討
纳米硅晶/氧化硅复合材料导电钝化膜的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    津幡 亮平;後藤 和泰;黒川 康良;宇佐美 徳隆
  • 通讯作者:
    宇佐美 徳隆
MPB 組成近傍Pb(Zr,Ti)O3 エピタキシャル膜のナノ双晶構造
近 MPB 成分的 Pb(Zr,Ti)O3 外延薄膜的纳米孪晶结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木口 賢紀;青柳 健大;宇佐美 徳隆;舟窪 浩;今野 豊彦
  • 通讯作者:
    今野 豊彦
斜入射スパッタリング法により作製したWO3薄膜のEC特性に対する成膜圧力の影響
沉积压力对斜入射溅射法制备WO3薄膜EC特性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    熊谷 風雅;後藤 和泰;山田 繁;伊藤 貴司;宇佐美 徳隆;黒川 康良;堀越悠爾,田野裕貴,井上泰志,高井治
  • 通讯作者:
    堀越悠爾,田野裕貴,井上泰志,高井治
アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi2薄膜の電気特性制御
碱金属氟化物处理对BaSi2薄膜电性能的控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    原 康祐;Du Weijie;有元 圭介;山中 淳二;中川 清和;都甲 薫;末益 崇;宇佐美 徳隆
  • 通讯作者:
    宇佐美 徳隆
Engineering Heterointerface for High-efficiency Silicon Solar Cells
高效硅太阳能电池的异质界面工程
  • DOI:
    10.1380/vss.66.86
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    後藤 和泰;宇佐美 徳隆
  • 通讯作者:
    宇佐美 徳隆

宇佐美 徳隆的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('宇佐美 徳隆', 18)}}的其他基金

Challenge to improve the efficiency of a droplet-based electricity generator by controlling the surface and interface and its application to solar cells that generate electricity even in the rain
通过控制表面和界面来提高基于液滴的发电机效率的挑战及其在即使在雨中也能发电的太阳能电池中的应用
  • 批准号:
    22K18807
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Creation of functional metastable silicon-based multiple element materials by controlling light elements
通过控制轻元素创建功能性亚稳态硅基多元素材料
  • 批准号:
    20H00303
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Selective area growth of GaN on glass using an AIC seed layer for micro-LED applications
使用 AIC 种子层在玻璃上选择性区域生长 GaN,用于 micro-LED 应用
  • 批准号:
    17F17366
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発
太阳能电池用高品质多晶硅锭生长技术开发
  • 批准号:
    14F04356
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シリコン多結晶の微細組織制御と高効率薄膜太陽電池への応用
硅多晶微结构控制及其在高效薄膜太阳能电池中的应用
  • 批准号:
    10F00058
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
絶縁体上SiGe仮想基板の形成機構の解明と高機能電子デバイスへの応用
绝缘体上SiGe虚拟衬底的形成机理及其在高性能电子器件中的应用
  • 批准号:
    15686013
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
量子ドットによる歪み誘起バンドギャップ変化を利用した太陽電池用材料の創製
利用量子点应变引起的带隙变化创建太阳能电池材料
  • 批准号:
    14050011
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン系混晶半導体のグローバル成長制御
硅基混晶半导体的全局生长控制
  • 批准号:
    13025205
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
半導体量子ドットの構造制御と新機能素子への応用に関する研究
半导体量子点结构调控及其在新型功能器件中的应用研究
  • 批准号:
    09750007
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
超微細構造半導体の結晶成長および配列制御に関する研究
超微结构半导体晶体生长与取向控制研究
  • 批准号:
    08750007
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

IGF::OT::IGF- TORP # 1013- OPTIONAL MATERIALS DEVELOPMENT
IGF::OT::IGF- TORP
  • 批准号:
    8936930
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
IGF::OT::IGF- TORP # 1013- OPTIONAL MATERIALS DEVELOPMENT
IGF::OT::IGF- TORP
  • 批准号:
    8936931
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
IGF::OT::IGF- TORP # 1013- OPTIONAL MATERIALS DEVELOPMENT
IGF::OT::IGF- TORP
  • 批准号:
    8936933
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.47万
  • 项目类别:
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了