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超微細構造半導体の結晶成長および配列制御に関する研究

超微结构半导体晶体生长与取向控制研究

基本信息

批准号：
08750007
负责人：
宇佐美徳隆
金额：
$ 0.77万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750007/
关键词：
半導体量子ドット歪み超格子分子線エピタキシ-

项目摘要

薄膜の成長様式の一つであるStranski-Krastanov様式によって形成される半導体量子ドットの大きさや形成位置を、原子スケールで制御する技術を確立することを目的として、歪み超格子の劈開面を用いる方法を新たに提案し、その有用性に関して基礎的な検討を行った。SiGe混晶Si/歪み超格子の劈開面上にGe量子ドットを配列させることを試みた。歪み超格子は、分子線エピラキシ-法により成長した。超格子を構成するSiGe混晶の組成、および周期を系統的に変化させた数枚の試料を準備し、その劈開面上にGeを成長した。Geの膜厚は、島形成の臨界膜厚を十分に超える目的で、6原子層とした。原子間力顕微鏡を用いた表面観察によって、島の形成は、通常のSi基板上に成長した場合とは異なり、周期性を持っていることが明らかになった。2次元フーリエ変換を用いた解析により、島の大きさは超格子の周期によって制御できていることがわかった。また、島の形成位置は、成長温度によって変化し、低温においてはSi上、高温においてはSiGe上に、選択的に島が形成された。これは、低温においては、Si上のGeの方が島形成の臨界膜厚が小さいことを反映し、熱平衡に近いような高温においては、エネルギー的に安定なSiGe上が島形成のサイトとなるものと思われる。この現象は、島を積層する場合に、高温下においては、島が成長方向に連なって成長するという現象と符合するものである。

The thin film is made into a long-term device. The Stranski-Krastanov device is used to form a semi-solid quantum device. The location of the device, the atomic system technology to make sure that the purpose is correct, the superlattice split surface is used to introduce a new proposal, and the usefulness of the system is based on the introduction of new proposals. SiGe mixed crystal Si/ skew superlattice split surface of Ge quantum devices to match the number of devices in the experiment. Skewed superlattices, molecular lines, and molecular lines are highly sensitive to the growth of molecular weight. The superlattice is fabricated into SiGe mixed crystal assembly, the cycle cycle system is fabricated, several materials are prepared, and the Ge is grown on the split surface. The thickness of the Ge film, the thickness of the boundary film, the thickness of the boundary film, the thickness of the film, the thickness of the boundary film, the thickness of the boundary film, the thickness of the film, the thickness of The atomic force micrometer is used to observe the temperature field, the formation temperature, the growth temperature on the Si substrate and the periodicity of the growth temperature. In the second order, you can use the data to analyze the data, to analyze the cycle of the super grid, to control the data, and to make sure that the system is in good condition. Temperature, temperature, The thickness of the boundary film, the thickness of the boundary film, the reflection of the film, the balance, the stability of the SiGe, the thickness of the boundary film, the thickness of the boundary film The weather is in line with the temperature, the temperature and the growth direction.