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Dopant diffusion paths in polycrystalline silicon gate of three-dimensional metal-oxide-semiconductor field effect transistor investigated by atom probe tomography

原子探针断层扫描研究三维金属氧化物半导体场效应晶体管多晶硅栅极中的掺杂扩散路径

基本信息

批准号：
26289097
负责人：
Inoue Koji
金额：
$ 10.32万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Elemental Distribution Analysis in Silicon-Based Semiconductor Devices

硅基半导体器件中的元素分布分析

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
岡本隼人;山本圭介;王冬;中島寛;K. Tada;K. Inoue
通讯作者：
K. Inoue

3D atomic-scale-analysis of elemental distribution in silicon nanoelectronics

硅纳米电子学中元素分布的 3D 原子尺度分析

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Nakamura;Z. Yuan;S. Hashimoto;S. Adachi;Y. Shimizu and K. Inoue
通讯作者：
Y. Shimizu and K. Inoue

Predoping effects of boron and phosphorous on arsenic diffusion along grain boundaries in polycrystalline silicon investigated by atom probe tomography

原子探针断层扫描研究硼和磷的预掺杂对多晶硅中砷沿晶界扩散的影响

DOI：
10.7567/apex.9.106601
发表时间：
2016
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
H. Takamizawa;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nozawa;T. Toyama;F. Yano;M. Inoue;A. Nishida;Y. Nagai
通讯作者：
Y. Nagai

Impact of carbon co-implantation on boron distribution and activation in silicon studied by atom probe tomography and spreading resistance measurements

通过原子探针断层扫描和扩散电阻测量研究碳共注入对硅中硼分布和活化的影响

DOI：
10.7567/jjap.55.026501
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Y. Shimizu;H. Takamizawa;K. Inoue;F. Yano;S. Kudo;A. Nishida;T. Toyama;and Y. Nagai
通讯作者：
and Y. Nagai

Phosphorus and boron diffusion paths in polycrystalline silicon gate of a trench-type three-dimensional metal-oxide-semiconductor field effect transistor investigated by atom probe tomography

原子探针断层扫描研究沟槽型三维金属氧化物半导体场效应晶体管多晶硅栅极中磷和硼的扩散路径

DOI：
10.1063/1.4926970
发表时间：
2015
期刊：
Appl. Phys. Lett.
影响因子：
0
作者：
B. Han;H. Takamizawa;Y. Shimizu;K. Inoue;Y. Nagai;F. Yano;Y. Kunimune;M. Inoue;and A. Nishida
通讯作者：
and A. Nishida

DOI：
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作者：
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影响因子：
0
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通讯作者：
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0
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通讯作者：
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DOI：
发表时间：
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DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
作者：
Shimodaira Masaki;Toyama Takeshi;Yoshida Kenta;Inoue Koji;Ebisawa Naoki;Tomura Keiko;Yoshiie Toshimasa;Konstantinovic Milan J.;Gerard Robert;Nagai Yasuyoshi;Fumitaro Ishikawa;Rie Makiura;粕川周平
通讯作者：
粕川周平