Investigation of carbon nanotube materials with ultra-high specific sureface aria by surface decomposition of SiC nano particles

SiC纳米颗粒表面分解研究超高比表面积碳纳米管材料

基本信息

  • 批准号：
    26289237
  • 负责人：
    Kusunoki Michiko
  • 金额：
    $ 10.48万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Kusunoki Laboraory
楠木研究所
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Carrier-type control of close-packed carbon nanotube film on SiC
SiC上密排碳纳米管薄膜的载流子控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    W. Norimatsu;K. Matsuda;and M. Kusunoki
  • 通讯作者：
    and M. Kusunoki
ホウ素ドープ最密充填カーボンナノチューブ膜の電気伝導測定
硼掺杂密排碳纳米管薄膜的电导率测量
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    乗松航;小田晃司;藤田隼人;楠美智子
  • 通讯作者：
    楠美智子
SiC粉末の表面分会によるCNT合成
SiC粉末表面分离合成CNT
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    横山理徳;乗松航;楠美智子
  • 通讯作者：
    楠美智子
SiC上CNT配向膜の伝導特性 (優秀講演賞受賞)
SiC上碳纳米管取向膜的导电性能（优秀讲座奖）
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    松田敬太;乗松航;楠美智子
  • 通讯作者：
    楠美智子
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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  • 影响因子：
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  • 通讯作者：
    井上 暁人・安田 貴信・北口哲也・ 上田 宏
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  • 影响因子：
    3.2
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  • 通讯作者：
    Kawarada Hiroshi
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  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko
  • 通讯作者：
    Kusunoki Michiko
In-situ TEM of Nanoscale ReRAM Devices
纳米级 ReRAM 器件的原位 TEM
  • DOI：
    10.1380/vss.61.766
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Vacuum and Surface Science
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nagashio Kosuke;Hattori Yoshiaki;Takahashi Nobuaki;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Bao Jianfeng;Norimatsu Wataru;Kusunoki Michiko;有田正志，福地厚，高橋庸夫
  • 通讯作者：
    有田正志，福地厚，高橋庸夫
Metal Deposition Using Solutions on High-Density and Well-Aligned CNTs
使用高密度且排列良好的碳纳米管溶液进行金属沉积

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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  • 财政年份：
    2010
  • 资助金额：
    $ 10.48万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

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