A Study on Physical Interconnect Design in 3D ICs Using Through Silicon Vias
A Study on Physical Interconnect Design in 3D ICs Using Through Silicon Vias
使用硅通孔的 3D IC 物理互连设计研究
批准号：
26330057
负责人：
Kurokawa Atsushi
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Thermal analysis with varying physical parameters in 3D ICs
3D IC 中不同物理参数的热分析
3D IC 中不同物理参数的热分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kaoru Furumi, Masa-aki Fukase, Masashi Imai, Yuuki Miura, Nanako Niioka, and Atsushi Kurokawa]
通讯作者：
and Atsushi Kurokawa
インダクタンス逆行列を用いた三次元集積回路の貫通シリコンビア間結合容量抽出
使用电感逆矩阵提取 3D 集成电路中硅通孔之间的耦合电容
使用电感逆矩阵提取 3D 集成电路中硅通孔之间的耦合电容
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
電気学会 論文誌C
影响因子：
--
作者：
[小林徹哉, 新岡七奈子, 深瀬政秋, 黒川敦]
通讯作者：
黒川敦
An effective model for evaluating vertical propagation delay in TSV-based 3-D ICs
用于评估基于 TSV 的 3D IC 中垂直传播延迟的有效模型
用于评估基于 TSV 的 3D IC 中垂直传播延迟的有效模型
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masayuki Watanabe, Nanako Niioka, Tetsuya Kobayashi, Rosely Karel, Masa-aki Fukase, Masashi Imai, and Atsushi Kurokawa]
通讯作者：
and Atsushi Kurokawa
Substrate contact effect on TSV-to-TSV coupling
基板接触对 TSV 到 TSV 耦合的影响
基板接触对 TSV 到 TSV 耦合的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Rosely Karel, Masa-aki Fukase, Masashi Imai, Nanako Niioka, Tetsuya Kobayashi, and Atsushi Kurokawa]
通讯作者：
and Atsushi Kurokawa
DOI：
10.1109/isqed.2017.7918329
发表时间：
2017-03
期刊：
2017 18th International Symposium on Quality Electronic Design (ISQED)
影响因子：
--
作者：
[K. Furumi;Masashi Imai;A. Kurokawa]
通讯作者：
K. Furumi;Masashi Imai;A. Kurokawa
共 20 条
Development of thermal design techniques for 2.5D and 3D integrated circuits
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批准号：17K00070
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2017
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负责人：Kurokawa Atsushi
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依托单位：