Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits

III-V 量子点激光器在硅光子电路上的集成

基本信息

  • 批准号：
    15K06029
  • 负责人：
    SHIMOMURA Kazuhiko
  • 金额：
    $ 3.16万
  • 依托单位：
    Sophia University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique
采用亲水晶圆键合技术在 InP/Si 衬底上制造 1.5μm GaInAsP LD
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    P. Gandhi Kallarasan;T. Nishiyama;N. Kamada;Y. Onuki and K. Shimomura
  • 通讯作者：
    Y. Onuki and K. Shimomura
Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate
InP/Si 衬底上集成 GaInAsP 条带激光器的激光特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Uchida;T. Nishiyama;N. Kamada;Y. Onuki;X. Han;Gandhi Kallarasan P.;H. Sugiyama;M. Aikawa;N. Hayasaka;and K. Shimomura
  • 通讯作者：
    and K. Shimomura
Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding
采用直接晶圆键合集成在 InP/Si 衬底上的 GaInAsP 双异质激光器的低温激光特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Nishiyama;K. Matsumoto;J. Kishikawa;T. Sukigara;Y. Onuki;N. Kamada;T. Kanke;and K. Shimomura
  • 通讯作者：
    and K. Shimomura
直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作
使用直接键合 InP/Si 衬底的 GaInAsP 激光器原型
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西山哲央;松本恵一;岸川純也;大貫雄也;鎌田直樹;下村和彦
  • 通讯作者：
    下村和彦
自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価
自催化VLS法评价InP/GaInAs/InP核多壳纳米线的光学性质
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    高野紘平;荻野雄大;朝倉啓太;和保孝夫;下村和彦
  • 通讯作者：
    下村和彦
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