Thin films of new materials with high spin polarization
高自旋极化新材料薄膜
基本信息
- 批准号:5437986
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Units
- 财政年份:2004
- 资助国家:德国
- 起止时间:2003-12-31 至 2010-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
In diesem Teilprojekt sollen dünne Schichten von Co2Cr1-xFexAl und verwandten Verbindungen in epitaktischer Form auf einkristallinen Schichten präpariert werden. Als Depositionsmethode werden die Kathodenzerstäubung und die Laserablation genutzt werden. Während erstere bereits erprobt ist und damit dünne Schichten mit hoher Spinpolarisation in der B2-Struktur hergestellt wurden, lassen sich mit letzterer ideal Legierungsreihen herstellen. Ziel ist es, die Depositionsparameter so zu optimieren, dass die Schichten mit höchstmöglicher Ordnung in der L21-Struktur aufwachsen. Mittels Vierkreis-Röntgendiffraktometrie lassen sich selbst an dünnen Schichten Abweichungen von der idealen L21-Heusler-Struktur feststellen. Durch die Wahl verschiedener Substrate lässt sich die Gitterfehlanpassung variieren. Für dünne Schichten tritt dadurch eine kohärente Verspannung im Gitter auf, die unter anderem die magnetische Anisotropie der Schichten modifiziert. Durch die Herstellung von Keilproben lässt sich die Schichtdickenabhängigkeit der physikalischen Eigenschaften einfach mit ortsauflösenden Methoden untersuchen. Die Transporteigenschaften der Heusler-Schichten als Funktion von Temperatur, Magnetfeldstärke und Magnetfeldrichtung bezüglich Stromrichtung und bezüglich Kristallrichtung lassen Rückschlüsse auf die Fermi-Fläche, Spin-Bahn-Kopplung, und die Streumechanismen der Ladungsträger zu und sollen in diesem Teilprojekt bestimmt werden.
在这个项目中,我们采用了Co2 Cr 1-xFexAl的Schichten,并以epitaktischer的形式在一个韦尔登上进行了测试。所有的沉积方法都是通过阴极保护和激光消融来实现的。Während erstere bereits erpropt ist und damit dünne Schichten mit hoher Spinpolarisation in der B2-Struktur hergestellt wurden,lassen sich mit letzterer ideal Legierungsreihen herstellen. Ziel is es,the Depositions parameter so zu optimieren,dass the Schichten mit höchstmöglicher Ordnung in der L21-Struktur aufwachsen. Mittels Vierkreis-Röntgendiffraktometrie lassen sich selbst an dünnen Schichten Abweichungen von der idealen L21-Heusler-Struktur feststellen。当Wahl测试基板时,Gitterfehlanpassung变化。Für dünne Schichten tritt dadeine kohärente Verspannung im Gitter auf,die unter anderem die magnetische Anisotropie der Schichten modifiziert.因此,通过使用适当的方法,可以使物理特征的识别方法变得简单。Heusler-Schichten的输运机制在韦尔登中具有温度、磁场强度和磁场强度的函数,并在费米-Fläche、自旋-Bahn-Kopplung和Ladungsträger的流机制上具有Kristallichtung和Kristallichtung的函数。
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Hall effect and electronic structure of Co2FexMn1-xSiCo2FexMn1-xSi films
- DOI:10.1016/j.jmmm.2009.09.048
- 发表时间:2010-03
- 期刊:
- 影响因子:2.7
- 作者:H. Schneider;E. V. Vidal;S. Chadov;G. Fecher;C. Felser;G. Jakob
- 通讯作者:H. Schneider;E. V. Vidal;S. Chadov;G. Fecher;C. Felser;G. Jakob
Epitaxial film growth and magnetic properties of Co2FeSi
- DOI:10.1103/physrevb.74.174426
- 发表时间:2006-11-01
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Schneider, H.;Jakob, G.;Adrian, H.
- 通讯作者:Adrian, H.
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