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A study on process and mold design to obtain quick bubble removal and residual layer uniformity on whole imprinting area

A study on process and mold design to obtain quick bubble removal and residual layer uniformity on whole imprinting area
快速去除气泡和整个压印区域残留层均匀性的工艺和模具设计研究
批准号：
16K06035
负责人：
Youn Sung-Won
金额：
$3.08万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K06035/
关键词：
ナノインプリントリソグラフィモールド設計残膜均一化凝縮性ガスモールド設計技術ナノマイクロ加工

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Fabrication of High-Aspect-Ratio Micropatterns in Soluble Block-Copolymer Polyimides by an UV-assisted Thermal Imprint Process
通过紫外线辅助热压印工艺在可溶性嵌段共聚物聚酰亚胺中制造高纵横比微图案
DOI： --
发表时间： 2019
期刊： Journal of Mechanical Science and Technology
影响因子： 1.6
作者： [Sung-Won Youn, Kenta Suzuki, Takagi Hideki, Hiroshi Hiroshima, Yoshinori Kinoshita, Katsuhiro Hayashi]
通讯作者： Katsuhiro Hayashi
Control of pattern capacity in nanoimprint mold by adding 2D/2.5D patterns to obtain uniform residual layer
通过添加 2D/2.5D 图案来控制纳米压印模具中的图案容量以获得均匀的残留层
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Youn Sung-Won, Suzuki Kenta, Hiroshima Hiroshi]
通讯作者： Hiroshima Hiroshi
Fabrication of Radio-frequency Identification Antenna Patterns on an IC Chip by Ultraviolet Nanoimprint Lithography
采用紫外纳米压印光刻技术在 IC 芯片上制作射频识别天线图案
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Sung-Won Youn, Kenta Suzuki, and Hiroshi Hiroshima, 久住 孝幸，池田 洋，越後谷 正見，中村 竜太， 赤上 陽一, Takeshi Yamaguchi, 鈴木健太,倉島優一,尹成圓,高木秀樹,廣島洋,大島清志,小林英樹]
通讯作者： 鈴木健太,倉島優一,尹成圓,高木秀樹,廣島洋,大島清志,小林英樹
Automated Pattern Modification Method to Equalize Residual Layer Thickness in Nanoimprint Lithography
用于均衡纳米压印光刻中残留层厚度的自动图案修改方法
DOI： --
发表时间： 2017
期刊： Conference Proceedings of NNT2017
影响因子： --
作者： [Youn Sung-Won, Suzuki Kenta, Hiroshima Hiroshi]
通讯作者： Hiroshima Hiroshi
共 26 条