Fabrication of "Smart Window" using oxide semiconductors
Fabrication of "Smart Window" using oxide semiconductors
使用氧化物半导体制造“智能窗”
批准号：
16K06274
负责人：
Sugiyama Mutsumi
金额：
$2.41万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.55.088003
发表时间：
2016-07
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[M. Sugiyama;H. Nakai;Gaku Sugimoto;A. Yamada;S. Chichibu]
通讯作者：
M. Sugiyama;H. Nakai;Gaku Sugimoto;A. Yamada;S. Chichibu
杉山睦 | 論文・著書・学会発表・特許 | 東京理科大学
Mutsumi Sugiyama | 论文、书籍、会议报告、专利 | 东京理科大学
Mutsumi Sugiyama | 论文、书籍、会议报告、专利 | 东京理科大学
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
電子デバイスへの応用に向けたNiO薄膜およびNiO/絶縁膜に与えるポストプロセスの影響
后处理对用于电子设备应用的 NiO 薄膜和 NiO/绝缘膜的影响
后处理对用于电子设备应用的 NiO 薄膜和 NiO/绝缘膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡田 浩明, 王 澤樺, 田沼 涼, 杉山 睦]
通讯作者：
杉山 睦
Effect of Hall mobility of SnO2 thin film for sensitivity of visible-light-transparency CO2 sensor
SnO2薄膜霍尔迁移率对可见光透明CO2传感器灵敏度的影响
SnO2薄膜霍尔迁移率对可见光透明CO2传感器灵敏度的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Tanuma, H. Okada, T. Ejiri, and M. Sugiyama]
通讯作者：
and M. Sugiyama
インテリジェントウィンドウに向けた酸化物半導体を用いた透明電子デバイスの作製
使用氧化物半导体制造用于智能窗户的透明电子器件
使用氧化物半导体制造用于智能窗户的透明电子器件
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡田浩明, 江尻拓斗, 田沼涼, 杉山睦]
通讯作者：
杉山睦
共 23 条
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