Development of ZnO-based semiconductor flexible device fabrication processes by using atomic-oxygen-assisted molecular beam epitaxy growth
Development of ZnO-based semiconductor flexible device fabrication processes by using atomic-oxygen-assisted molecular beam epitaxy growth
利用原子氧辅助分子束外延生长开发ZnO基半导体柔性器件制造工艺
批准号：
16K06297
负责人：
MURANAKA Tsutomu
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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プラズマドーピング法を用いたp型SiCの作製装置の立ち上げ
推出采用等离子体掺杂法的 p 型 SiC 制造设备
推出采用等离子体掺杂法的 p 型 SiC 制造设备
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[深井健太, 鍋谷暢一, 村中司, 松本俊]
通讯作者：
松本俊
第66回応用物理学会春季学術講演会 合同セッションＫ講演情報
第66届日本应用物理学会春季学术会议联席会议K讲座信息
第66届日本应用物理学会春季学术会议联席会议K讲座信息
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
研究紹介
简介 研究
简介 研究
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
極薄チャネルZnO-TFTにおける熱処理の効果
热处理对超薄沟道ZnO-TFT的影响
热处理对超薄沟道ZnO-TFT的影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[池内達紀, 若林岳, 佐々木涼介, 高木誠也, 村中司, 鍋谷暢一, 松本俊]
通讯作者：
松本俊
プラズマ支援分子線堆積法による フレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価 (3)
使用等离子体辅助分子束沉积在柔性基板上形成 GZO 透明导电薄膜并进行评估 (3)
使用等离子体辅助分子束沉积在柔性基板上形成 GZO 透明导电薄膜并进行评估 (3)
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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作者：
[村中司, 小野裕俊, 寺田佳史, 渡辺三志郎, 鍋谷暢一, 松本俊]
通讯作者：
松本俊
共 11 条
Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics
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批准号：21760234
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2009
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负责人：MURANAKA Tsutomu
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依托单位：
海外基金