ミストＣＶＤによる高耐圧ＨＥＭＴの作製

雾气CVD法制备高压HEMT

• 批准号: 16F16373
• 负责人: 川原村 敏幸
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Kochi University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-10-07 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16F16373/
• 关键词: Mist CVD; Ga2O3; HEMT; heterostructures; (Al xGa1-x)2O3,; α-Cr2O3; (Cr xGa1-x)2O3; MODFETs; 高移動度トランジスタ(HEMT); コランダム構造酸化物; 超広バンドギャップ; ミストCVD; ヘテロ構造; 高電子移動度トランジスタ(HEMT); α-Ga2O3; パワー素子; ショットキー接合

最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。

In the last five months of the year, α-(AlxGa1-x) 2O3/α-(CrxGa1-x) 2O3 system HEMTs were fabricated and tested for their properties and properties. The research on the formation of α-(Al, or Cr) xGa1-x) 2O3 thin films and the selection of protective films and the formation of various electrodes was carried out.α-((Al, or Cr) xGa1-x) 2O3 thin films have very high resistance to corrosion and are difficult to form. Ga2O3 and Al are mixed crystals. Ga2O3 is mixed with Al and Cr. The electrode and RF can be used to determine the potential of the device. The final HEMT structure is formed and evaluated.しかしながら、最优化までには至らなかった。In the next two years, research will be carried out to further promote the development of new technologies.

项目成果

Investigation on the composition ratio via ZnMgO thin film fabrication by mist CVD

雾气CVD法制备ZnMgO薄膜的成分比研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Phimolphan Rutthongjan;Li Liu;Misaki Nishi;Masahito Sakamoto;Shota Sato;Ellawala K.C. Pradeep;Giang Thai Dang;and Toshiyuki Kawaharamura
• 通讯作者: and Toshiyuki Kawaharamura

時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発3

利用时空分离产生的雾流开发新的反应控制技术3

• 发表时间: 2017
• 作者: 川原村 敏幸;ルトンジャン ピモンパン;劉 麗;西 美咲;坂本 雅仁;佐藤 翔太;上田 真理子;E.K.C. プラディープ;鄧 太 江
• 通讯作者: 鄧 太 江

時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発2

利用时空分离产生的雾流开发新型反应控制技术2

• 发表时间: 2017
• 作者: 川原村 敏幸;ルトンジャン ピモンパン;劉 麗;西 美咲;坂本 雅仁;小林 勇亮;E.K.C. プラディープ;鄧 太江;佐藤 翔太;山沖 駿友;中曽根 義晃;上田 真理子
• 通讯作者: 上田 真理子

Development of α-Ga2O3-based high power devices

α-Ga2O3基高功率器件的开发

• 发表时间: 2017
• 作者: Giang T. Dang;Toshiyuki Kawaharamura,
• 通讯作者: Toshiyuki Kawaharamura,

川原村敏幸のHP

川原村敏之的HP