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ミストＣＶＤによる高耐圧ＨＥＭＴの作製

ミストＣＶＤによる高耐圧ＨＥＭＴの作製
雾气CVD法制备高压HEMT
批准号：
16F16373
负责人：
川原村 敏幸
金额：
$1.41万
依托单位：
Kochi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-10-07 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16F16373/
关键词：
Mist CVDGa2O3HEMTheterostructures(Al xGa1-x)2O3,α-Cr2O3(Cr xGa1-x)2O3MODFETs高移動度トランジスタ(HEMT)コランダム構造酸化物超広バンドギャップミストCVDヘテロ構造高電子移動度トランジスタ(HEMT)α-Ga2O3パワー素子ショットキー接合

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最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Investigation on the composition ratio via ZnMgO thin film fabrication by mist CVD
雾气CVD法制备ZnMgO薄膜的成分比研究
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Phimolphan Rutthongjan, Li Liu, Misaki Nishi, Masahito Sakamoto, Shota Sato, Ellawala K.C. Pradeep, Giang Thai Dang, and Toshiyuki Kawaharamura]
通讯作者： and Toshiyuki Kawaharamura
時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発3
利用时空分离产生的雾流开发新的反应控制技术3
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [川原村 敏幸, ルトンジャン ピモンパン, 劉 麗, 西 美咲, 坂本 雅仁, 佐藤 翔太, 上田 真理子, E.K.C. プラディープ, 鄧 太 江]
通讯作者： 鄧 太 江
時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発2
利用时空分离产生的雾流开发新型反应控制技术2
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [川原村 敏幸, ルトンジャン ピモンパン, 劉 麗, 西 美咲, 坂本 雅仁, 小林 勇亮, E.K.C. プラディープ, 鄧 太江, 佐藤 翔太, 山沖 駿友, 中曽根 義晃, 上田 真理子]
通讯作者： 上田 真理子
Development of α-Ga2O3-based high power devices
α-Ga2O3基高功率器件的开发
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Giang T. Dang, Toshiyuki Kawaharamura,]
通讯作者： Toshiyuki Kawaharamura,
共 16 条
    新規酸化物薄膜作製法・ミストCVD法の確立、及び、それによる成長膜の特性研究
    • 批准号：
      07J08424
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $0.58万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      川原村 敏幸
    • 依托单位：
      Kyoto University
    国内基金
    海外基金
    β-Ga2O3/GaN异质结日盲探测器生长机理与金半接触优化研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      苏州工学院
    κ-Ga2O3/GaN铁电半导体异质结二维电子气特性及调控研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      无锡职业技术大学
    新型超宽禁带半导体Ga2O3合金薄膜可控制备及高性能日盲紫外光电探测器研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      武汉纺织大学
    硅基ε-Ga2O3薄膜体声波谐振器关键技术研究
    • 批准号：
      JCZRYB202501250
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
    • 依托单位：
      武汉纺织大学