Hybrid quantum-classical simulation of SiC oxidation process by a wide-range search of phase space

通过相空间的广泛搜索对 SiC 氧化过程进行混合量子经典模拟

基本信息

  • 批准号：
    16H03830
  • 负责人：
    Ohno Takahisa
  • 金额：
    $ 11.73万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Theoretical Study on H Intercalation into Buffer Layer Grown on SiC(0001)
SiC(0001)上生长的缓冲层中H插层的理论研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. Nara;T. Yamasaki;and T. Ohno
  • 通讯作者：
    and T. Ohno
Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate
SiC衬底石墨烯缓冲层下氢原子行为的理论研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J. Nara;T. Yamasaki;and T. Ohno
  • 通讯作者：
    and T. Ohno
First principles study on the interaction between hydrogen atoms and the graphene buffer layer grown on the SiC(0001) surface
氢原子与SiC(0001)表面生长的石墨烯缓冲层相互作用的第一性原理研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    J.Nara;T.Yamasaki;T. Ohno
  • 通讯作者：
    T. Ohno
Nano-Second Order Molecular Dynamics Simulations for Graphene Formation Process on SiC
SiC 上石墨烯形成过程的纳米二阶分子动力学模拟
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Takamoto;T. Yamasaki;J. Nara;T. Ohno;C. Kaneta;and S. Izumi
  • 通讯作者：
    and S. Izumi
First Principles Modeling of Defect-Free Abrupt SiC/SiO2 Interfaces on a- and m-Face 4H-SiC
a 面和 m 面 4H-SiC 上无缺陷突变 SiC/SiO2 界面的第一原理建模
  • DOI：
    10.7567/apex.11.101304
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Applied Physics Espress
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tomoaki Kaneko;Nobuo Tajima;Takahiro Yamasaki;Jun Nara;Tatsuo Schimizu;Koichi Kato;and Takahisa Ohno
  • 通讯作者：
    and Takahisa Ohno
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  • 通讯作者：
    永島優也，高橋洸太，隅本倫徳，鎌田素之，友野和哲
Passivation of GaAs(001) surfaces by chalcogen atoms (S, Se and Te)
硫族原子（S、Se 和 Te）钝化 GaAs(001) 表面
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    1991
  • 期刊：
    Surface Science
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Ohno Takahisa
  • 通讯作者：
    Ohno Takahisa
パルスレーザー堆積法による高品質複酸化物薄膜の作製
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  • DOI：
    10.1380/jsssj.38.216
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    表面科学
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takada Kazunori;Ohno Takahisa;Ohta Narumi;Ohnishi Tsuyoshi;Tanaka Yoshinori;大西 剛
  • 通讯作者：
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