Hybrid quantum-classical simulation of SiC oxidation process by a wide-range search of phase space
Hybrid quantum-classical simulation of SiC oxidation process by a wide-range search of phase space
通过相空间的广泛搜索对 SiC 氧化过程进行混合量子经典模拟
批准号：
16H03830
负责人：
Ohno Takahisa
金额：
$11.73万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Theoretical Study on H Intercalation into Buffer Layer Grown on SiC(0001)
SiC(0001)上生长的缓冲层中H插层的理论研究
SiC(0001)上生长的缓冲层中H插层的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Nara, T. Yamasaki, and T. Ohno]
通讯作者：
and T. Ohno
Theoretical study on hydrogen atom behavior under graphene buffer layer grown on SiC substrate
SiC衬底石墨烯缓冲层下氢原子行为的理论研究
SiC衬底石墨烯缓冲层下氢原子行为的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Nara, T. Yamasaki, and T. Ohno]
通讯作者：
and T. Ohno
First principles study on the interaction between hydrogen atoms and the graphene buffer layer grown on the SiC(0001) surface
氢原子与SiC(0001)表面生长的石墨烯缓冲层相互作用的第一性原理研究
氢原子与SiC(0001)表面生长的石墨烯缓冲层相互作用的第一性原理研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J.Nara, T.Yamasaki, T. Ohno]
通讯作者：
T. Ohno
Nano-Second Order Molecular Dynamics Simulations for Graphene Formation Process on SiC
SiC 上石墨烯形成过程的纳米二阶分子动力学模拟
SiC 上石墨烯形成过程的纳米二阶分子动力学模拟
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Takamoto, T. Yamasaki, J. Nara, T. Ohno, C. Kaneta, and S. Izumi]
通讯作者：
and S. Izumi
First Principles Modeling of Defect-Free Abrupt SiC/SiO2 Interfaces on a- and m-Face 4H-SiC
a 面和 m 面 4H-SiC 上无缺陷突变 SiC/SiO2 界面的第一原理建模
a 面和 m 面 4H-SiC 上无缺陷突变 SiC/SiO2 界面的第一原理建模
DOI：
10.7567/apex.11.101304
发表时间：
2018
期刊：
Applied Physics Espress
影响因子：
--
作者：
[Tomoaki Kaneko, Nobuo Tajima, Takahiro Yamasaki, Jun Nara, Tatsuo Schimizu, Koichi Kato, and Takahisa Ohno]
通讯作者：
and Takahisa Ohno
共 25 条
海外基金