Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates
Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates
ScAlMgO4衬底GaN基垂直晶体管的研究
批准号：
15K13963
负责人：
Suemitsu Tetsuya
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates
具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T. Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu]
通讯作者：
and T. Suemitsu
Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs
用于 AlGaN/GaN HEMT 器件隔离的中性束蚀刻
用于 AlGaN/GaN HEMT 器件隔离的中性束蚀刻
DOI：
10.1002/pssa.201600617
发表时间：
2017
期刊：
Physica Status Solidi A
影响因子：
--
作者：
[F. Hemmi, C. Thomas, Y. C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, T. Suemitsu]
通讯作者：
T. Suemitsu
MIT(米国)
麻省理工学院（美国）
麻省理工学院（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
ScAlMgO4 衬底上 GaN 厚膜的卤化物气相外延及其用于制造独立式晶圆的自分离
ScAlMgO4 衬底上 GaN 厚膜的卤化物气相外延及其用于制造独立式晶圆的自分离
DOI：
10.7567/apex.10.101001
发表时间：
2017
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Ohnishi Kazuki, Kanoh Masaya, Tanikawa Tomoyuki, Kuboya Shigeyuki, Mukai Takashi, Matsuoka Takashi]
通讯作者：
Matsuoka Takashi
Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching
通过中性束蚀刻抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的隔离漏电流
通过中性束蚀刻抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的隔离漏电流
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[F. Hemmi, C. Thomas, Y.-C. Lai, A. Higo, A. Guo, S. Warnock, J. A. del Alamo, S. Samukawa, T. Otsuji, and T. Suemitsu]
通讯作者：
and T. Suemitsu
共 11 条
Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
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批准号：19H02165
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.82万
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财政年份：2019
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负责人：Suemitsu Tetsuya
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依托单位：
Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
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批准号：16H04341
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.65万
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财政年份：2016
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负责人：Suemitsu Tetsuya
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依托单位：
海外基金