Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates

ScAlMgO4衬底GaN基垂直晶体管的研究

基本信息

  • 批准号：
    15K13963
  • 负责人：
    Suemitsu Tetsuya
  • 金额：
    $ 2.5万
  • 依托单位：
    Tohoku University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates
具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Yasukawa;S. Hatakeyama;T. Yoshida;T. Kimura;T. Matsuoka;T. Otsuji;and T. Suemitsu
  • 通讯作者：
    and T. Suemitsu
Neutral beam etching for device isolation in AlGaN/GaN HEMTs
用于 AlGaN/GaN HEMT 器件隔离的中性束蚀刻
  • DOI：
    10.1002/pssa.201600617
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Physica Status Solidi A
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    F. Hemmi;C. Thomas;Y. C. Lai;A. Higo;A. Guo;S. Warnock;J. A. del Alamo;S. Samukawa;T. Otsuji;T. Suemitsu
  • 通讯作者：
    T. Suemitsu
MIT(米国)
麻省理工学院（美国）
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers
ScAlMgO4 衬底上 GaN 厚膜的卤化物气相外延及其用于制造独立式晶圆的自分离
  • DOI：
    10.7567/apex.10.101001
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Applied Physics Express
  • 影响因子：
    2.3
  • 作者：
    Ohnishi Kazuki;Kanoh Masaya;Tanikawa Tomoyuki;Kuboya Shigeyuki;Mukai Takashi;Matsuoka Takashi
  • 通讯作者：
    Matsuoka Takashi
Suppression of isolation leakage current in AlGaN/GaN HEMTs by neutral-beam etching
通过中性束蚀刻抑制 AlGaN/GaN HEMT 中的隔离漏电流
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    F. Hemmi;C. Thomas;Y.-C. Lai;A. Higo;A. Guo;S. Warnock;J. A. del Alamo;S. Samukawa;T. Otsuji;and T. Suemitsu
  • 通讯作者：
    and T. Suemitsu
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  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Prasertsuk Kiattiwut;Suemitsu Tetsuya;Matsuoka Takashi
  • 通讯作者：
    Matsuoka Takashi
Impact of polarization-induced charges on Schottky barrier height of polar GaN
极化感应电荷对极性 GaN 肖特基势垒高度的影响
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao;T. Suemitsu and I. Makabe
  • 通讯作者：
    T. Suemitsu and I. Makabe
Effective Schottky barrier height model for Ga- and N-polar GaN by polarization-induced surface charges with finite depth
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  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao
  • 通讯作者：
    Makabe Isao
Effective Schottky Barrier Height Model for N‐Polar and Ga‐Polar GaN by Polarization‐Induced Surface Charges with Finite Thickness
基于有限厚度极化感应表面电荷的 N 极和 Ga 极 GaN 的有效肖特基势垒高度模型
  • DOI：
    10.1002/pssb.201900528
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    physica status solidi (b)
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao
  • 通讯作者：
    Makabe Isao
Terahertz-wave Nyquist wavelength division multiplexing communication utilizing integrated-optic spectrum synthesizer
利用集成光谱合成器的太赫兹波奈奎斯特波分复用通信
  • DOI：
    10.1117/12.2577087
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    SPIE Proceedings
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao;K. Takiguchi
  • 通讯作者：
    K. Takiguchi

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    20K04595
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    2020
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    2019
  • 资助金额：
    $ 2.5万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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  • 批准号：
    19K05292
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 2.5万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 财政年份：
    2017
  • 资助金额：
    $ 2.5万
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  • 财政年份：
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