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Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
功率器件用N极GaN MIS-HEMT的研究
基本信息
- 批准号：19H02165
- 负责人：
- 金额：$ 10.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
分極電荷の広がりを考慮したGa極性・N極性の実効ショットキー障壁高さモデル
考虑极化电荷扩散的 Ga 极性和 N 极性的有效肖特基势垒高度模型
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：末光哲也;眞壁勇夫
- 通讯作者：眞壁勇夫
Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs
N 极 GaN/AlGaN MIS HEMT 中非本征栅极区域载流子俘获的证据
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Prasertsuk;T. Suemitsu and T. Matsuoka
- 通讯作者：T. Suemitsu and T. Matsuoka
Effective Schottky Barrier Height Model for N‐Polar and Ga‐Polar GaN by Polarization‐Induced Surface Charges with Finite Thickness
基于有限厚度极化感应表面电荷的 N 极和 Ga 极 GaN 的有效肖特基势垒高度模型
- DOI：10.1002/pssb.201900528
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao
- 通讯作者：Makabe Isao
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors
N 极 GaN/AlGaN 金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的反向偏压退火效应
- DOI：10.35848/1347-4065/ac2214
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Prasertsuk Kiattiwut;Suemitsu Tetsuya;Matsuoka Takashi
- 通讯作者：Matsuoka Takashi
Impact of polarization-induced charges on Schottky barrier height of polar GaN
极化感应电荷对极性 GaN 肖特基势垒高度的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Suemitsu Tetsuya;Makabe Isao;T. Suemitsu and I. Makabe
- 通讯作者：T. Suemitsu and I. Makabe
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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K. Takiguchi
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- 影响因子：1.5
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Samukawa Seiji
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 资助金额：
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$ 10.82万 - 项目类别：
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