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Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices

Study on N-polar GaN MIS-HEMTs for power devices
功率器件用N极GaN MIS-HEMT的研究
批准号：
19H02165
负责人：
Suemitsu Tetsuya
金额：
$10.82万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02165/
关键词：
窒化物半導体HEMT窒素極性

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分極電荷の広がりを考慮したGa極性・N極性の実効ショットキー障壁高さモデル
考虑极化电荷扩散的 Ga 极性和 N 极性的有效肖特基势垒高度模型
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [末光哲也, 眞壁勇夫]
通讯作者： 眞壁勇夫
Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs
N 极 GaN/AlGaN MIS HEMT 中非本征栅极区域载流子俘获的证据
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Prasertsuk, T. Suemitsu and T. Matsuoka]
通讯作者： T. Suemitsu and T. Matsuoka
Effective Schottky Barrier Height Model for N‐Polar and Ga‐Polar GaN by Polarization‐Induced Surface Charges with Finite Thickness
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发表时间： 2020
期刊： physica status solidi (b)
影响因子： --
作者： [Suemitsu Tetsuya, Makabe Isao]
通讯作者： Makabe Isao
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DOI： 10.35848/1347-4065/ac2214
发表时间： 2021
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Prasertsuk Kiattiwut, Suemitsu Tetsuya, Matsuoka Takashi]
通讯作者： Matsuoka Takashi
共 6 条
    Study on nitrogen-polar InGaAs-channel high electron mobility transistors
    • 批准号：
      16H04341
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.65万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位：
      Tohoku University
    Study on GaN-based vertical transistors using ScAlMgO4 substrates
    • 批准号：
      15K13963
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Suemitsu Tetsuya
    • 依托单位：
      Tohoku University
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
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    AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：