Neues Thema: Diamant FET Strukturen, Analyse ausstehender Basisprobleme Altes Thema:Entwicklung von Feldeffekt-Tansistorstrukturen auf Diamantbasis

新主题：金刚石FET结构，突出基础问题分析 旧主题：金刚石基场效应晶体管结构的发展

• 批准号: 5443638
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen (EBS)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2003-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5443638?language=en
• 关键词: Neues; Thema; Diamant; FET; Strukturen

Die vorgesehenen Arbeiten sind eine Fortführung bisheriger Arbeiten, um die Grundlagen zur Entwicklung einer Diamantelektronik weiter voranzutreiben. In Vorarbeiten konnte gezeigt werden, dass FET-Strukturen bei hoher Frequenz im GHz-Bereich betrieben werden können. Simulationsabschätzungen zeigen darüber hinaus, dass mit diskreten FET-Bauelementen auf Diamantbasis hohe RF-Leistungen (oberhalb derer von FETs auf GaN-Basis) erwartet werden können. Ein wesentliches Merkmal hier ist die hohe Wärmeleitfähigkeit des integrierten Diamantwärmespreizers. Im beantragten Vorhaben sollen die bisher erzielten Einzelergebnisse konzentriert und in optimierten Bauelementestrukturen (FETS) eingesetzt werden. Die Arbeiten sollen sich dabei auf MESFET-Strukturen mit Oberflächenkanal (auf H-abgesättigter Oberfläche) konzentrieren. Die Leistungsdichte liegt derzeit etwa 2 Größenordnungen unter der theoretisch erwarteten. Hier soll das neue Vorhaben mit neuen technologischen Fragestellungen ansetzen. Dazu gehören neue Ideen der Oberflächenbehandlung zur Erzeugung und Stabilisierung des wasserstoff-induzierten Oberflächenkanals wie die Absättigung mit Fullerenen und Jodkomplexen. (Hier sollen auch unsere Erfahrungen aus der elektrochemischen Oberflächenanalyse einfließen.) Das Diamantmaterial betreffend sollen neben eigenen Epitaxieschichten auf käuflichen Substraten auch Substrate oder Pufferschichten hoher Qualität anderer Labors eingesetzt werden. Zusätzlich soll eine Passivierung entwickelt werden, die es erlaubt, FeldplattenKonzepte einzusetzen. Mit einer auf diese Art optimierten FET-Struktur sollen hohe Mikrowellenleistungsdichten realisiert werden.

Die vorgesehenen Arbeiten sind eine Fortführung bisheriger Arbeiten，um die Grundlagen zur Entwicklung einer Diamantelektronik weiter voranzutreiben.在Vorarbeiten konnte geeigt韦尔登，dass FET-结构bei hoher Frequenz im GHz-Bereich betrieben韦尔登konnen.模拟结果表明，在金刚石基底上的FET元件与RF元件（在GaN基底上的FET元件）之间存在韦尔登关系。一位商人说，他们是钻石专卖店的老板。我认为，只有在最佳的建筑结构（FETS）中才能找到更好的建筑结构（Einzelergebnisse conzentriert）和韦尔登。工人必须在MESFET结构上安装Oberflächenkanal（在H-abgesättigter Oberfläche）。在理论研究中，科学家们发现了2个新的问题。这是一个新的前景，采用新的技术来解决碎片。Dazu gehören neue Ideen der Oberflächenbehandlung zur Erzeugung und Stabilisierung des wasserstoff-induzierten Oberflächenkanals wie die Absättigung mit Fullerenen und Jodkomplexen. (Hier sollen auch unsere Erfahrungen aus der elektrochemischen Oberflächenanalysis einflißen.）金刚石材料在高质量的衬底或高质量的填充物上的外延层和韦尔登劳动力是不可缺少的。Zusätzlich soll eine Passivierung entwickelt韦尔登，die es erlaubt，FeldplattenKonzepte einzusetzen.这是一个艺术优化FET结构的解决方案，它可以使Mikrowellenleistungsstenrealisiert韦尔登。