Entwicklung von p-Kanal FET Strukturen mit hoher Kanalstromdichte und Spannungsfestigkeit für Betrieb bei hoher Leistung bei moderaten Temperaturen

开发具有高沟道电流密度和耐压的 p 沟道 FET 结构，可在中等温度下进行高功率运行

• 批准号: 5215108
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen (EBS)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5215108?language=en
• 关键词: Entwicklung; von; Kanal; FET; Strukturen

Aufbauend auf dem im Rahmen des bisherigen Schwerpunktprogramms "Synthese superharter Materialien" gewonnenen Kenntnisstand soll eine Struktur entwickelt werden, die die an den verschiedenen bereits realisierten FET-Typen extrahierten Kennwerte in einem Bauelement vereint. Die aktive Materialschichtfolge ist homoepitaktisch auf einem undotierten oder Stickstoff-dotierten Substrat aufgewachsen. Die Gatesteuerstrecke wird durch einen PIN-Übergang in einem epitaktischen Rezeßgraben gebildet. Die epitaktische Rezeßtechnologie ist zu entwickeln und die Steuerstrecke der Diode, deren N-Gebiet ein verlustbehaftetes Dielektrikum darstellt, ist zu optimieren. Die angestrebten Charakteristiken der Bauelemente sind insbesondere: - hohe Drain-Stromdichte, d.h. hohe Träger-Schichtdichten von Ns 1013cm-2 im Kanal, - hohe maximale Source-Drain und Gate-Drain Spannung bei gleichzeitig hohem Ns, - hohe Akzeptoraktivierung bei mittlerer Temperatur durch deltaförmiges Dotierprofil - geringe parasitäre Leckströme über Gate und Substrat, - Temperaturstabilität und geringe Dispersionseffekte - Grenzfrequenzen im (unteren) GHz-Bereich.

在“合成超硬材料”这一较好的Schwerpunktprogramms的基础上，通过构造一个韦尔登，在一个Bauelement vereint中实现了FET类型的超硬材料。活性材料的吸附是在一个底衬或一个粘性材料上进行的。门控系统将通过一个PIN-Übergang在一个epitaktischen Rezeßgraben gebildet中运行。外延式Rezeßtechnologie is zu entwickeln and die Steuerstrecke der Diode，deren N-Gebiet ein verlustfetes Dielektrikum darstellt，is zu optimieren. Bauelemente的令人担忧的特点是：- hohe Drain-Stromplete，d.h.在卡纳尔的NS 1013 cm-2处的高Träger-Schichtelten，-在NS的最大源漏和栅漏跨度，-在栅极和衬底上的高Akzeptoraktivierung，-温度稳定性和色散频率。