Entwicklung von p-Kanal FET Strukturen mit hoher Kanalstromdichte und Spannungsfestigkeit für Betrieb bei hoher Leistung bei moderaten Temperaturen

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Aufbauend auf dem im Rahmen des bisherigen Schwerpunktprogramms "Synthese superharter Materialien" gewonnenen Kenntnisstand soll eine Struktur entwickelt werden, die die an den verschiedenen bereits realisierten FET-Typen extrahierten Kennwerte in einem Bauelement vereint. Die aktive Materialschichtfolge ist homoepitaktisch auf einem undotierten oder Stickstoff-dotierten Substrat aufgewachsen. Die Gatesteuerstrecke wird durch einen PIN-Übergang in einem epitaktischen Rezeßgraben gebildet. Die epitaktische Rezeßtechnologie ist zu entwickeln und die Steuerstrecke der Diode, deren N-Gebiet ein verlustbehaftetes Dielektrikum darstellt, ist zu optimieren. Die angestrebten Charakteristiken der Bauelemente sind insbesondere: - hohe Drain-Stromdichte, d.h. hohe Träger-Schichtdichten von Ns 1013cm-2 im Kanal, - hohe maximale Source-Drain und Gate-Drain Spannung bei gleichzeitig hohem Ns, - hohe Akzeptoraktivierung bei mittlerer Temperatur durch deltaförmiges Dotierprofil - geringe parasitäre Leckströme über Gate und Substrat, - Temperaturstabilität und geringe Dispersionseffekte - Grenzfrequenzen im (unteren) GHz-Bereich.