Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems

GaN HFET 沟道电流分散在时间、频率和温度域中的表征以及表面钝化的影响。

• 批准号: 5308374
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen (EBS)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5308374?language=en
• 关键词: Charakterisierung; der; Kanalstromdispersion; GaN; HFETs

In HFET-Strukturen auf GaN-Basis ist neben der Materialqualität und Wahl des Substrates die Dispersion des Kanalstromes im Großsignalbetrieb derzeit eine der 2 leistungsbegrenzenden Größen. In diesem Vorhaben sollen die ersten Untersuchungen bezüglich dieses Dispersionseffektes fortgeführt werden. Derzeit sieht es so aus, als ob die Dispersion durch die Peizo-Dipolladung an der Oberfläche der AlGaN/GaN Heterostruktur hervorgerufen wird, und die Dispersionseigenschaften durch eine lose gekoppeltes virtuelles 2 Gate in der Gate-Drain-Strecke beschrieben werden kann. Diese von uns vorgeschlagene Modellvorstellung soll weitergeführt werden. Die Dispersionseigenschaften sind stark mit der Passivierung verkoppelt. Daher soll weiterhin die Passivierung mit Si3N4 untersucht werden. Ziel ist die Offenlegung der physikalischen Ursachen und die Entwicklung stabiler Eigenschaften.

在基于GaN的HFET结构中，材料质量和衬底厚度在大信号中的色散导致两个大的增益。在这个问题上，第一个问题是分散性很强的韦尔登。因此，在AlGaN/GaN异质结构的上表面上形成的双极化也会产生色散，而在栅-漏-应力中形成的虚双栅也会产生色散。这些来自我们的虚拟模型将被韦尔登取代。分散性与钝化剂的作用是完全相同的。因此，使用韦尔登进行钝化是必要的。这是物理学上的缺陷，也是发展中的稳定因素。