Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems

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In HFET-Strukturen auf GaN-Basis ist neben der Materialqualität und Wahl des Substrates die Dispersion des Kanalstromes im Großsignalbetrieb derzeit eine der 2 leistungsbegrenzenden Größen. In diesem Vorhaben sollen die ersten Untersuchungen bezüglich dieses Dispersionseffektes fortgeführt werden. Derzeit sieht es so aus, als ob die Dispersion durch die Peizo-Dipolladung an der Oberfläche der AlGaN/GaN Heterostruktur hervorgerufen wird, und die Dispersionseigenschaften durch eine lose gekoppeltes virtuelles 2 Gate in der Gate-Drain-Strecke beschrieben werden kann. Diese von uns vorgeschlagene Modellvorstellung soll weitergeführt werden. Die Dispersionseigenschaften sind stark mit der Passivierung verkoppelt. Daher soll weiterhin die Passivierung mit Si3N4 untersucht werden. Ziel ist die Offenlegung der physikalischen Ursachen und die Entwicklung stabiler Eigenschaften.