Diamond-based ion sensitive field effect devices
Diamond-based ion sensitive field effect devices
批准号:
5352812
负责人:
Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2002
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2001-12-31 至 2007-12-31
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英文摘要
Das Thema des Projektes ist die Entwicklung einer nach dem Feldeffekt-Prinzip arbeitenden ionen-sensitiven Struktur aus CVD-Diamant. In der Struktur ist die Flüssigkeit in direktem Kontakt mit einem leitfähigen bor-dotierten Oberflächenkanal, der mittels Epitaxie auf einer undotierten Diamantschicht aufgewachsen wird. Auf Grund seiner hohen chemischen Stabilität und seines hohen Bandabstandes stellt Diamant ein inertes Elektrodenmaterial dar, so dass keine chemische Barriere zwischen Flüssigkeit und Halbleiter notwendig ist. Die Oberfläche ist H-terminiert und besitzt ein ionen-empfindliches Oberflächenpotential. Eine vom pH-Wert abhängige Verarmung des Oberflächenkanals wurde bereits beobachtet, jedoch sind die Ergebnisse derzeit noch widersprüchlich, und sowohl von der Tendenz als auch vom dynamischen Verhalten der Signalantwort her nicht ausreichend verstanden. Daher konzentriert sich das Projekt auf drei Aspekte: 1. Identifizierung und Charakterisierung der Verarmungsmechanismen des Kanals, 2. Untersuchung der Stabilitätsgrenzen und 3. Entwicklung eines Sensorelementes. Die chemischen Untersuchungen sollen in Kooperation mit dem Zentrum für Sonnenenergie und Wasserstofforschung Ulm und biomedizinische Anwendungen mit der Sektion Polymere der Universität Ulm durchgeführt werden.
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Entwicklung einer ISFET-Grundstruktur für Anwendung in aggressiver und hochkorrosiver Umgebung unter hohen Überpotentialen (anodisch und kathodisch) bestehend aus einer InAIN/GaN HEMT-Kanalstruktur und Optimierung der Elektrodeneigenschaften durch Modifik
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批准号:109424006
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2009
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
Neues Thema: Diamant FET Strukturen, Analyse ausstehender Basisprobleme Altes Thema:Entwicklung von Feldeffekt-Tansistorstrukturen auf Diamantbasis
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批准号:5443638
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2004
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden auf Diamantsubstraten für optoelektronische und elektronische Anwendungen
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批准号:5404244
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2003
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems
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批准号:5308374
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
CND-diamond based microwave switch
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批准号:5277050
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2001
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
Joint project FORMEDIAN
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批准号:5236042
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2000
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
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批准号:5215108
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal
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批准号:5372728
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1997
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负责人:Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn
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依托单位:
国内基金
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