CND-diamond based microwave switch

CND金刚石基微波开关

基本信息

项目摘要

Thema dieses Vorhabens ist der Entwurf, die Herstellung und die Charakterisierung von mikromechanischen Schaltern für Mikrowellenanwendung auf der Basis von polykristallinen Diamantschichten. Als Schalter für Mikroweellen kommen bisher hauptsächlich Halbleiterbauelemente wie Transistoren oder pin-Dioden zum Einsatz, die jedoch neben der hohen Schaltgeschwindigkeit ausch einen hohen Durchlaßwiderstand und Fehlströme durch Ladungsspeicherung aufweisen. Dies führt zu unzureichender Isolation im ausgeschalteten Zustand und Dämpfung im eingeschalteten Zustand. Diese und andere Nachteile lassen sich durch den Einsatz von mikromechanischen Schaltern umgehen, welche konventionell zumeist aus Metall auf einem Halbleitersubstrat realisiert werden. Diamant ist aufgrund seine außergewöhnlichen Eigenschaften ein ideales Material für mikromechanische Komponenten. Daher soll im Rahmen dieses Projektes ein vollständig aus polykristallinem Diamant bestehender Mikroschalter entworfen und realisiert werden, um die Vorteile dieser Technologie demonstrieren zu können. Dabei muß das Bauelement sowohl in Hinsicht auf die Hochfrequenzeigenschaften als auch auf das mechanische Schaltverhalten untersucht und optimiert werden. Zur Demonstration der Funktion sollen für einige typische Mikrowellenanwendungen Schalter dieser Art entworfen und getestet werden. Der Schalter soll in integrierter Form aufgebaut werden. Die für diese Anwendung entwickelte Technologie kann auch als Basis für die Realisierung weiterer aktiver oder passiver Bauelemente dienen.
Thema dieses Vorhabens ist der Entwurf,die Herstellung und die Charakterisierung von mikromechanischen Schaltern für Mikrowellenanwendung auf der Basis von polykristallinen Diamantschichten.由于Schalter für Mikroweellen公司的主要半导体元件是晶体管或二极管,因此,该半导体器件的设计需要一个更高的Durchlaßwiderstand和Fehlströme durch speicherung aufweisen。Dies führt zu unzureichender Isolation im ausgescharteten Zustand und Dämpfung im eingescharteten Zustand.这些和其他的Nachteile通过微机械Schaltern umgehen的一种方法,从金属到一个半导体衬底的传统方法实现了韦尔登。Diamant ist aufgrund seine außergewöhnlichen Eigenschaften ein ideales Material für mikromechanische Komponenten. Daher soll im Rahmen dieses Projektes en vollständig aus polykristallinem Diamant bestehender Mikroschalter entworfen and realisiert韦尔登,um vorteile dieser Technologie demonstrieren zu knnen.在高频环境下,大部分元件都是由高频元件驱动的,因此也可以对机械振动进行优化和韦尔登。Zur Demonstration der Funktion sollen für einige typische Mikrowellenanwendungen Schalter dieser Art entworfen und getestet韦尔登.这位国王以完整的形式建造了韦尔登。Die für diese Anwendung entwickelte Technologie kann auch als Basis für die Realisierung weiterer aktiver or der passiver Bauelemente dienen.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn其他文献

Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Professor Dr.-Ing. Erhard Kohn', 18)}}的其他基金

Entwicklung einer ISFET-Grundstruktur für Anwendung in aggressiver und hochkorrosiver Umgebung unter hohen Überpotentialen (anodisch und kathodisch) bestehend aus einer InAIN/GaN HEMT-Kanalstruktur und Optimierung der Elektrodeneigenschaften durch Modifik
开发 ISFET 基本结构,用于高过电势(阳极和阴极)下的侵蚀性和高腐蚀性环境,由 InAIN/GaN HEMT 沟道结构组成,并通过修改优化电极性能
  • 批准号:
    109424006
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Neues Thema: Diamant FET Strukturen, Analyse ausstehender Basisprobleme Altes Thema:Entwicklung von Feldeffekt-Tansistorstrukturen auf Diamantbasis
新主题:金刚石FET结构,突出基础问题分析 旧主题:金刚石基场效应晶体管结构的发展
  • 批准号:
    5443638
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Heteroepitaxie von Gruppe III-Nitriden auf Diamantsubstraten für optoelektronische und elektronische Anwendungen
用于光电和电子应用的金刚石基底上的 III 族氮化物异质外延
  • 批准号:
    5404244
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Diamond-based ion sensitive field effect devices
金刚石基离子敏感场效应器件
  • 批准号:
    5352812
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Charakterisierung der Kanalstromdispersion in GaN-HFETs im Zeit-, Frequenz- und Temperaturbereich sowie Einfluß der Oberflächenpassivierung. Korrelation mit der Piezo-Dipolladung des verspannten Heterostruktursystems
GaN HFET 沟道电流分散在时间、频率和温度域中的表征以及表面钝化的影响。
  • 批准号:
    5308374
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Priority Programmes
Joint project FORMEDIAN
联合项目 FORMEDIAN
  • 批准号:
    5236042
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Entwicklung von p-Kanal FET Strukturen mit hoher Kanalstromdichte und Spannungsfestigkeit für Betrieb bei hoher Leistung bei moderaten Temperaturen
开发具有高沟道电流密度和耐压的 p 沟道 FET 结构,可在中等温度下进行高功率运行
  • 批准号:
    5215108
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grants
Modellierung, Simulation und Optimierung der Herstellung von GaN-basierenden heterostruktur Feldeffekttransistoren insbesondere mit InGaN Kanal
GaN 基异质结构场效应晶体管(尤其是 InGaN 沟道)生产的建模、仿真和优化
  • 批准号:
    5372728
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Priority Programmes

相似国自然基金

基于介质层调控的GaN-on-Diamond传热与结构特性研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    58 万元
  • 项目类别:
    面上项目
Diamond/Al复合材料钨基纳米多相界面演化机制及其构效关系研究
  • 批准号:
    51871072
  • 批准年份:
    2018
  • 资助金额:
    60.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
活性金属在非均质Diamond/Cu复合材料表面润湿机理研究
  • 批准号:
    51204016
  • 批准年份:
    2012
  • 资助金额:
    25.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
高导热Diamond/SiC复合材料近终形成形的基础研究
  • 批准号:
    51274040
  • 批准年份:
    2012
  • 资助金额:
    80.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
纳米氧化锌/p型金刚石异质结制备及其负阻特性研究
  • 批准号:
    51072066
  • 批准年份:
    2010
  • 资助金额:
    37.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
AlN/Diamond/Si多层膜声表面波器件及其高频特性研究
  • 批准号:
    60576011
  • 批准年份:
    2005
  • 资助金额:
    22.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

Fiber-integrated diamond-based whispering-gallery-mode magnetometers
光纤集成金刚石基回音壁模式磁力计
  • 批准号:
    23K04617
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Diamond-based wideband radiofrequency fibre-optic sensor
金刚石基宽带射频光纤传感器
  • 批准号:
    LP210300230
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Linkage Projects
Nanophotonics for telecom quantum networks based on neutral silicon vacancy centers in diamond
基于金刚石中性硅空位中心的电信量子网络纳米光子学
  • 批准号:
    545932-2020
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
A Diamond-Based Quantum Photonic Entangler
金刚石基量子光子纠缠器
  • 批准号:
    2720594
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
A Diamond-Based Quantum Photonic Entangler
金刚石基量子光子纠缠器
  • 批准号:
    2898127
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
The BH-Works Suicide Prevention Program for Sexual and Gender Minority Youth
BH-Works 针对性和性别少数青少年的自杀预防计划
  • 批准号:
    10689666
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
New Electrochemical Based Polishing Methods for Processing Diamond Surfaces
用于加工金刚石表面的新型电化学抛光方法
  • 批准号:
    2733002
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Studentship
MICA: Development of Boron Doped Diamond Based Transcutaneous Blood Gas Sensors for Improved Patient Ventilation Status Monitoring and Control
MICA:开发基于掺硼金刚石的经皮血气传感器,以改善患者通气状态监测和控制
  • 批准号:
    MR/X004945/1
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Research Grant
Designing a Mobile Obesity & Binge Eating Intervention for Implementation in Clinical Settings
设计移动肥胖
  • 批准号:
    10195002
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
Nanophotonics for telecom quantum networks based on neutral silicon vacancy centers in diamond
基于金刚石中性硅空位中心的电信量子网络纳米光子学
  • 批准号:
    545932-2020
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    --
  • 项目类别:
    Postgraduate Scholarships - Doctoral
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了