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Semimetal (metal) mediated group-IV-semiconductor nanostructure formation and its application for next-generation fundamental device technologies

半金属（金属）介导的IV族半导体纳米结构形成及其在下一代基础器件技术中的应用

基本信息

批准号：
17K06338
负责人：
Okamoto Hiroshi
金额：
$ 3.08万
依托单位：
Hirosaki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06338/
关键词：
半導体ナノ構造ナノドット量子ドット Ge Bi GeSn IV族半導体

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Formation of Al and Hf Germanates as Interlayers between High-κ Dielectrics and Ge Substrates by Radical-Enhanced Atomic Layer Deposition

通过自由基增强原子层沉积在高 K 电介质和 Ge 基底之间形成 Al 和 Hf 锗酸盐作为中间层

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
D. Yamada;Y. Otani;C. Yamamoto;J. Yamanaka;T. Sato;H. Okamoto;Y. Fukuda
通讯作者：
Y. Fukuda

Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

真空蒸镀铋介导Ge纳米点的形成机理研究

DOI：
10.7567/1347-4065/ab14cf
发表时间：
2019
期刊：
JJAP
影响因子：
0
作者：
K. Tsushima;K. Takita;H. Nakazawa;T. Tawara;K. Tateno;G. Zhang;H. Gotoh;and H. Okamoto
通讯作者：
and H. Okamoto

真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-3

真空蒸发和低温退火双介导Ge纳米点形成3

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
対馬和都;滝田健介;俵毅彦;舘野功太;章国強;後藤秀樹;池田高之;水野誠一郎;岡本浩
通讯作者：
岡本浩

真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価

真空蒸发法Bi介导Ge纳米点形成过程评价

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
滝田健介，対馬和都;遠田義晴;俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩
通讯作者：
俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，岡本浩

真空蒸着法によるBi媒介Geナノドットの形成機構の検討

真空蒸发法研究Bi介导Ge纳米点的形成机理

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuto Tsushima;Kensuke Takita;Hideki Nakazawa;Takehiko Tawara;Kouta Tateno;Guoqiang Zhang;Hideki Gotoh;and Hiroshi Okamoto;対馬和都，滝田健介，中澤日出樹，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，池田高之，水野誠一郎，岡本浩
通讯作者：
対馬和都，滝田健介，中澤日出樹，俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹，池田高之，水野誠一郎，岡本浩

DOI：
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Okamoto Hiroshi其他文献

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DOI：
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发表时间：
1991
期刊：
Gene
影响因子：
3.5
作者：
Sugawara Akira;Shiga Kiyoto;Takasawa Shin;Yonekura Hideto;Yamamoto Hiroshi;Okamoto Hiroshi
通讯作者：
Okamoto Hiroshi

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2018
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影响因子：
1.4
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Rasel Mian Mohammad;Iguchi Hiroaki;Miyata Momoka;Takaishi Shinya;Yamakawa Hiromichi;Terashige Tsubasa;Miyamoto Tatsuya;Okamoto Hiroshi;Yamashita Masahiro
通讯作者：
Yamashita Masahiro

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通讯作者：
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2021
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影响因子：
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作者：
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Okamoto Hiroshi

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DOI：
10.1103/physrevb.98.054103
发表时间：
2018
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Takehara Ryosuke;Sunami Keishi;Iwase Fumitatsu;Hosoda Masayuki;Miyagawa Kazuya;Miyamoto Tatsuya;Okamoto Hiroshi;Kanoda Kazushi
通讯作者：
Kanoda Kazushi