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Study on electronic and atomic structure of ZnMgTe epilayers for electrical conductivity control

用于电导率控制的 ZnMgTe 外延层的电子和原子结构研究

基本信息

批准号：
17K06354
负责人：
Katsuhiko Saito
金额：
$ 3万
依托单位：
Saga University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

GGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価

GGG 衬底上 ZnTe 薄膜的 MOVPE 生长及评价

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
澤田航哉;斉藤勝彦;田中徹;郭其新
通讯作者：
郭其新

Al，P共添加ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価

Al、P共掺杂ZnTe薄膜的MOVPE生长及评价

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
浜田樹;斉藤勝彦;田中徹;郭其新
通讯作者：
郭其新

MOVPE成長Al ドープZnTe薄膜特性に及ぼす基板温度とポストアニールの効果

衬底温度和后退火对 MOVPE 生长的掺铝 ZnTe 薄膜性能的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Aoki Yusuke;澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
通讯作者：
澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新

MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響

后退火温度对 MOVPE 生长的 Al 掺杂 ZnTe 薄膜性能的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
平田翔大;齊藤勝彦;田中徹;郭其新;澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
通讯作者：
澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新

MOVPE growth of ZnMgSeTe alloys on (100) GaAs substrates

(100) GaAs 基底上 ZnMgSeTe 合金的 MOVPE 生长

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsuhiko Saito,Yusei Matsuo;Akihiro Tomota;Tatsuki Hamada;Yuken Oishi;Tooru Tanaka,and Qixin Guo
通讯作者：
Tooru Tanaka,and Qixin Guo

DOI：
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作者：
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DOI：
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Y. Nakanuma

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使用 Ar 气体对 ZnTe 进行同步辐射激发蚀刻

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B238
影响因子：
0
作者：
Tooru Tanaka;Yusuke Kume;Kazuki Hayashida;Katsuhiko Saito;Mitsuhiro Nishio;Qixin Guo;Hiroshi Ogawa
通讯作者：
Hiroshi Ogawa