Study on electronic and atomic structure of ZnMgTe epilayers for electrical conductivity control
Study on electronic and atomic structure of ZnMgTe epilayers for electrical conductivity control
用于电导率控制的 ZnMgTe 外延层的电子和原子结构研究
批准号：
17K06354
负责人：
Katsuhiko Saito
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2023-03-31
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GGG基板上ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価
GGG 衬底上 ZnTe 薄膜的 MOVPE 生长及评价
GGG 衬底上 ZnTe 薄膜的 MOVPE 生长及评价
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[澤田航哉, 斉藤勝彦, 田中 徹, 郭 其新]
通讯作者：
郭 其新
Al，P共添加ZnTe薄膜のMOVPE成長と評価
Al、P共掺杂ZnTe薄膜的MOVPE生长及评价
Al、P共掺杂ZnTe薄膜的MOVPE生长及评价
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[浜田樹, 斉藤勝彦, 田中徹, 郭其新]
通讯作者：
郭其新
MOVPE成長Al ドープZnTe薄膜特性に及ぼす基板温度とポストアニールの効果
衬底温度和后退火对 MOVPE 生长的掺铝 ZnTe 薄膜性能的影响
衬底温度和后退火对 MOVPE 生长的掺铝 ZnTe 薄膜性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Aoki Yusuke, 澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新]
通讯作者：
澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
MOVPE成長AlドープZnTe薄膜特性に及ぼすポストアニーリング処理温度の影響
后退火温度对 MOVPE 生长的 Al 掺杂 ZnTe 薄膜性能的影响
后退火温度对 MOVPE 生长的 Al 掺杂 ZnTe 薄膜性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[平田 翔大, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新]
通讯作者：
澤田航哉，斉藤勝彦，田中徹，郭其新
MOVPE growth of ZnMgSeTe alloys on (100) GaAs substrates
(100) GaAs 基底上 ZnMgSeTe 合金的 MOVPE 生长
(100) GaAs 基底上 ZnMgSeTe 合金的 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Katsuhiko Saito,Yusei Matsuo, Akihiro Tomota, Tatsuki Hamada, Yuken Oishi, Tooru Tanaka,and Qixin Guo]
通讯作者：
Tooru Tanaka,and Qixin Guo
共 8 条
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