Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices

使用半导体器件的氢传感器的研究

• 批准号: 17K06365
• 负责人: IROKAWA Yoshihiro
• 金额: $ 3万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06365/
• 关键词: 水素; 窒化物半導体; 界面; 相互作用; 窒化ガリウム; MIS型水素センサ; MIS界面; 中間層; 自然酸化膜; 準安定酸化ガリウム; ナノシート; センサ; 半導体デバイス

项目成果

Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy

通过电子显微镜研究氧化物/GaN(0001)中的中间层

• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Toshihide Nabatame;Koji Kimoto and Yasuo Koide
• 通讯作者: Koji Kimoto and Yasuo Koide

Comprehensive study of native oxides on GaN

GaN 上原生氧化物的综合研究

• 发表时间: 2018
• 作者: Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Tsuyoshi Ohnishi;Koji Kimoto and Yasuo Koide
• 通讯作者: Koji Kimoto and Yasuo Koide

Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001)

GaN(0001)上原生氧化物的电子显微镜和紫外光电子能谱研究

• DOI: 10.7567/jjap.57.098003
• 发表时间: 2018
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Tsuyoshi Ohnishi;Koji Kimoto;Yasuo Koide
• 通讯作者: Yasuo Koide

Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study

GaN(0001) 上原生氧化物的表面分析：LEIS 和 RHEED 研究

• 发表时间: 2017
• 作者: Yoshihiro Irokawa;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Koji Kimoto;Tsuyoshi Ohnishi;Kazutaka Mitsuishi;and Yasuo Koide
• 通讯作者: and Yasuo Koide

窒化ガリウムトランジスタに原子レベルで平坦な結晶層を新発見

氮化镓晶体管中新发现的原子级平坦晶体层

• 发表时间: 2017
• 作者: 色川芳宏;三石和貴
• 通讯作者: 三石和貴