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Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices

Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices
使用半导体器件的氢传感器的研究
批准号：
17K06365
负责人：
IROKAWA Yoshihiro
金额：
$3.0万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17K06365/
关键词：
水素窒化物半導体界面相互作用窒化ガリウムMIS型水素センサMIS界面中間層自然酸化膜準安定酸化ガリウムナノシートセンサ半導体デバイス

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Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy
通过电子显微镜研究氧化物/GaN(0001)中的中间层
DOI： --
发表时间： 2018
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto and Yasuo Koide]
通讯作者： Koji Kimoto and Yasuo Koide
Comprehensive study of native oxides on GaN
GaN 上原生氧化物的综合研究
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto and Yasuo Koide]
通讯作者： Koji Kimoto and Yasuo Koide
Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001)
GaN(0001)上原生氧化物的电子显微镜和紫外光电子能谱研究
DOI： 10.7567/jjap.57.098003
发表时间： 2018
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto, Yasuo Koide]
通讯作者： Yasuo Koide
Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study
GaN(0001) 上原生氧化物的表面分析：LEIS 和 RHEED 研究
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshihiro Irokawa, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto, Tsuyoshi Ohnishi, Kazutaka Mitsuishi, and Yasuo Koide]
通讯作者： and Yasuo Koide
共 15 条
    Hydrogen sensors using nitride-based semiconsuctor devices
    • 批准号：
      23560380
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.58万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      IROKAWA Yoshihiro
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Research on nitride based semiconductor power devices
    • 批准号：
      21760241
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      IROKAWA Yoshihiro
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    海外基金