Hydrogen sensors using nitride-based semiconsuctor devices
Hydrogen sensors using nitride-based semiconsuctor devices
使用氮化物半导体器件的氢传感器
批准号：
23560380
负责人：
IROKAWA Yoshihiro
金额：
$3.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
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Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism
基于 GaN 二极管的氢传感器：传感机制
基于 GaN 二极管的氢传感器：传感机制
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[葛生一馬, 池田正則, 清水博文, 高松弘行, 迫田尚和, Yoshihiro Irokawa]
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa
Hydrogen Interaction with GaN MIS Diodes
氢与 GaN MIS 二极管的相互作用
氢与 GaN MIS 二极管的相互作用
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伴野信哉, 竹内孝夫, 中川和彦, 櫻井義博, 土屋清澄, Yoshihiro Irokawa]
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshihiro Irokawa]
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa
Impedance Analysis on Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
氢与 Pt-AlGaN/GaN 肖特基势垒二极管相互作用的阻抗分析
氢与 Pt-AlGaN/GaN 肖特基势垒二极管相互作用的阻抗分析
DOI：
10.1149/2.0041411eel
发表时间：
2014
期刊：
ECS Electrochemistry Letters
影响因子：
--
作者：
[K.Shinbo, H.Ishikawa, M.Iwasaki, A.Uno, Y.Ohdaira, A.Baba, K.Kato and F.Kaneko, Yoshihiro Irokawa]
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa
AlN単結晶ダイオード及びその製造方法
AlN单晶二极管及其制造方法
AlN单晶二极管及其制造方法
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 7 条
Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices
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批准号：17K06365
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2017
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负责人：IROKAWA Yoshihiro
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依托单位：
Research on nitride based semiconductor power devices
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批准号：21760241
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：IROKAWA Yoshihiro
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依托单位：
海外基金