Precursorchemie von HfN, TaN, WNx und ähnlichen Metallnitriden in MOCVD und ALD-Prozessen für Gate-Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten für CMOS-Bauteile
MOCVD 和 ALD 工艺中 HfN、TaN、WNx 和类似金属氮化物的前驱体化学,用于 CMOS 组件的栅极金属化和扩散界面
基本信息
- 批准号:5449780
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Priority Programmes
- 财政年份:2005
- 资助国家:德国
- 起止时间:2004-12-31 至 2007-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Es gibt wichtige und noch ungelöste Integrationsprobleme auf dem Gebiet der high k Materialien für die CMOS Technologie. Geeignete Kombinationen von high k gate dielectics und gateMetallisierungen müssen entwickelt und in bestehende Produktionsprozesse integriert werden. Übergangsmetallnitride der Gruppen 4, 5 und 6, insbesondere (Ti,Hf)N, (Nb,Ta)N und (Mo,W)Nsind vielversprechende Kandidaten für ultradünne (nanoscale) Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten (z.B. für Kupfer) aufgrund ihrer chemischen Inertheit, ihres geringen Widerstands,hohen Schmelzpunkte, hohen Dichten und einfachen (trockenes) Ätzens. Obwohl als Schlüsselverfahren für die Herstellung dieser Nitridschichten MOCVD und ALD (Atomic LayerDeposition) etabliert sind, fehlt noch immer eine vertieftes molekulares Verständnis der zugrunde liegenden Precursorchemie und damit chemische Möglichkeiten der Optimierung, obwohl dieszur Lösung der Integrationsprobleme notwendig ist. Im Projekt wird die einschlägige Precursorchemie mit Schwerpunkt auf ALD und die Wechselwirkung bekannter Precursor mit relevanten N-Quellen (Ammonia- und Hydrazin-Derivate) untersucht. Neue Precursoren sollen entwickelt werden, die maßgeschneiderte, gemischte (heteroleptische) Ligandensphären aufweisen, die sich aus Alkylimodo/amido-Liganden mit Hydrazid-, Azid- und im Besonderen mit b-Diketiminato- und Guadinidato-Gruppen zusammensetzen. Die besten neuen Precursor und Precursorverbindungenwerden für MOCVD und ALD von MN Phasen mit einem kommerziellen AIX 200 RF und einem ASM F120 Reaktor eingesetzt. CMOS Testbauteile werden in Zusammenarbeit mit den Partnern in Erlangen hergestellt und ihre elektrischen Eigenschaften werden charakterisiert.
Es gibt wichtige and noch ungelöste Integrationsprobleme auf dem Gebiet der high k Materialien für die CMOS Technology. Geeignete Combinationen von high k gate dielectics und gateMetallisierungen müssen entwickelt und in bestehende Produktionsprozesse integriert韦尔登.第4、5和6组的金属氮化物包括(Ti,Hf)N,(Nb,Ta)N和(Mo,W)Nsind vielversprechende Kandidaten für ultradünne(nanoscale)Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten(z.B.为库普弗)aufgrund ihrer chemischen Inertheit,ihres geringen Widerstands,hohen Schmelzpunkte,hohen Dichten und einfachen(trockenes)itches。由于氮化合物MOCVD和ALD(原子层沉积)的制备方法已经确立,因此仍然存在一种由前体化学和最优化化学组成的垂直分子结构,尽管这一集成问题并不存在。在本项目中,我们将采用ALD上的Schwerpunkt和Wechselenkung方法制备具有相关N-Quellen(氨和肼衍生物)的前驱体。新的前体化合物可分为韦尔登,大类、杂类配体,这些配体来自含肼基、叠氮基的烷基/酰胺基配体,以及含b-二酮亚胺基和胍基的Besonderen。Die besten neuen Precursor and Precursorverbindungenwerden für MOCVD and ALD von MN Phasen mit einem kommerziellen AIX 200 RF und einem ASM F120 Reaktor eingesetzt. CMOS测试器件可以与合作伙伴一起工作,并且具有电气特性。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Professor Dr. Roland A. Fischer其他文献
Professor Dr. Roland A. Fischer的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Professor Dr. Roland A. Fischer', 18)}}的其他基金
Topology Guided Design of Multi-Photon Absorption in CrystallineCoordination Networks
晶体配位网络中多光子吸收的拓扑引导设计
- 批准号:
434448467 - 财政年份:2020
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
Metal-organic framework supported metal-oxide semiconductor hetero-nanostructures for efficient photoelectrochemical water splitting (MOFMOX)
金属有机框架支持的金属氧化物半导体异质纳米结构用于高效光电化学水分解(MOFMOX)
- 批准号:
419949637 - 财政年份:2019
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Multivariate, flexible MOFs: The role of functionalized linkers, heterogeneity and defects
多元、灵活的 MOF:功能化连接体、异质性和缺陷的作用
- 批准号:
323219031 - 财政年份:2016
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Units
Defect-Engineered Paddle-Wheel based Metal-Organic Frameworks (DE-MOFs)
基于缺陷工程桨轮的金属有机框架 (DE-MOF)
- 批准号:
277961395 - 财政年份:2015
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Metal@MOFs catalyst materials fabricated by solvated metal atom dispersion (SMAD) approach
采用溶剂化金属原子分散(SMAD)方法制备的Metal@MOFs催化剂材料
- 批准号:
244743347 - 财政年份:2014
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Synthesis of intermetallic transition metal-main group metal nanoparticles in ionic liquids
离子液体中金属间过渡金属-主族金属纳米颗粒的合成
- 批准号:
253312285 - 财政年份:2014
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
Liquid phase epitaxy (LPE) of functionalized SURMOFs for application in Gas Chromatography
功能化 SURMOF 的液相外延 (LPE) 在气相色谱中的应用
- 批准号:
203030376 - 财政年份:2011
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
Wet chemical synthesis of surface passivated metal nanoparticles via decomposition of organometallic complexes
通过有机金属配合物分解湿化学合成表面钝化金属纳米颗粒
- 批准号:
119070151 - 财政年份:2009
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Molecular Alloys: The Transition Metal Compounds [Ma(M'R)b(M''R)c] Containing Organometallic Group-12/13 Ligands
分子合金:含有机金属第12/13族配体的过渡金属化合物[Ma(MR)b(MR)c]
- 批准号:
117432385 - 财政年份:2009
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grants
Nano-MOFs: In situ monitoring and control of the crystallite growth of MOFs in colloidal solution and at surfaces modified with SAMs employing step-by-step dosing of reactants
纳米 MOF:通过逐步计量反应物,原位监测和控制胶体溶液中以及 SAM 修饰表面的 MOF 微晶生长
- 批准号:
79808222 - 财政年份:2008
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Priority Programmes
相似国自然基金
半有限von Neumann代数中投影集上的Wigner定理
- 批准号:
- 批准年份:2025
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
CUL7基因突变导致Von Hippel Lindau蛋白细胞内蓄积增多致3-M综合征软骨细胞分化异常的分子机制研究
- 批准号:82302106
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
非交换Weyl-von Neumann定理及其弱形式在von Neumann代数中的拓展
- 批准号:12271074
- 批准年份:2022
- 资助金额:45 万元
- 项目类别:面上项目
线性保持方法在量子信息研究中的应用
- 批准号:12001420
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
关于算子代数上非交换Weyl-von Neumann定理的研究
- 批准号:12001437
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
模型空间上截断Toeplitz算子的可约性
- 批准号:12001089
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
有限von Neumann代数的相对顺从性
- 批准号:12001085
- 批准年份:2020
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
关于超有限II_1因子中一类算子的不变子空间和单个元生成问题的研究
- 批准号:11961037
- 批准年份:2019
- 资助金额:29.0 万元
- 项目类别:地区科学基金项目
算子代数中齐性空间的微分几何结构
- 批准号:11901453
- 批准年份:2019
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
非交换Orlicz空间的性质及其闭子空间
- 批准号:11901038
- 批准年份:2019
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
循環補助時von Willebrand因子の環境応答評価プラットフォーム創生
创建一个平台,用于评估循环支持期间冯维勒布兰德因子的环境反应
- 批准号:
23K25186 - 财政年份:2024
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ECMOによるvon Willebrand 因子への影響
ECMO对血管性血友病因子的影响
- 批准号:
24K12171 - 财政年份:2024
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Entropy and Boundary Methods in von Neumann Algebras
冯诺依曼代数中的熵和边界方法
- 批准号:
2350049 - 财政年份:2024
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Continuing Grant
Approximation properties in von Neumann algebras
冯·诺依曼代数中的近似性质
- 批准号:
2400040 - 财政年份:2024
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
Free Information Theory Techniques in von Neumann Algebras
冯诺依曼代数中的自由信息理论技术
- 批准号:
2348633 - 财政年份:2024
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Standard Grant
止血タンパク質の発現多様性と止血機能および止血以外の機能に関する基礎研究
止血蛋白表达多样性、止血功能及止血以外功能的基础研究
- 批准号:
23H02681 - 财政年份:2023
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Endothelial von Willebrand factor and the tissue-specific regulation of angiogenesis and vascular integrity
内皮血管性血友病因子和血管生成和血管完整性的组织特异性调节
- 批准号:
MR/X021106/1 - 财政年份:2023
- 资助金额:
-- - 项目类别:
Research Grant
Multimeric Structural Degradation of vWF in Turbulent Flows
vWF 在湍流中的多聚体结构降解
- 批准号:
10563289 - 财政年份:2023
- 资助金额:
-- - 项目类别: