Precursorchemie von HfN, TaN, WNx und ähnlichen Metallnitriden in MOCVD und ALD-Prozessen für Gate-Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten für CMOS-Bauteile

Es gibt wichtige and noch ungelöste Integrationsprobleme auf dem Gebiet der high k Materialien für die CMOS Technology. Geeignete Combinationen von high k gate dielectics und gateMetallisierungen müssen entwickelt und in bestehende Produktionsprozesse integriert韦尔登.第4、5和6组的金属氮化物包括（Ti，Hf）N，（Nb，Ta）N和（Mo，W）Nsind vielversprechende Kandidaten für ultradünne（nanoscale）Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten（z.B.为库普弗）aufgrund ihrer chemischen Inertheit，ihres geringen Widerstands，hohen Schmelzpunkte，hohen Dichten und einfachen（trockenes）itches。由于氮化合物MOCVD和ALD（原子层沉积）的制备方法已经确立，因此仍然存在一种由前体化学和最优化化学组成的垂直分子结构，尽管这一集成问题并不存在。在本项目中，我们将采用ALD上的Schwerpunkt和Wechselenkung方法制备具有相关N-Quellen（氨和肼衍生物）的前驱体。新的前体化合物可分为韦尔登，大类、杂类配体，这些配体来自含肼基、叠氮基的烷基/酰胺基配体，以及含b-二酮亚胺基和胍基的Besonderen。Die besten neuen Precursor and Precursorverbindungenwerden für MOCVD and ALD von MN Phasen mit einem kommerziellen AIX 200 RF und einem ASM F120 Reaktor eingesetzt. CMOS测试器件可以与合作伙伴一起工作，并且具有电气特性。

Es gibt wichtige und noch ungelöste Integrationsprobleme auf dem Gebiet der high k Materialien für die CMOS Technologie. Geeignete Kombinationen von high k gate dielectics und gateMetallisierungen müssen entwickelt und in bestehende Produktionsprozesse integriert werden. Übergangsmetallnitride der Gruppen 4, 5 und 6, insbesondere (Ti,Hf)N, (Nb,Ta)N und (Mo,W)Nsind vielversprechende Kandidaten für ultradünne (nanoscale) Metallisierungs- und Diffusions-Grenzschichten (z.B. für Kupfer) aufgrund ihrer chemischen Inertheit, ihres geringen Widerstands,hohen Schmelzpunkte, hohen Dichten und einfachen (trockenes) Ätzens. Obwohl als Schlüsselverfahren für die Herstellung dieser Nitridschichten MOCVD und ALD (Atomic LayerDeposition) etabliert sind, fehlt noch immer eine vertieftes molekulares Verständnis der zugrunde liegenden Precursorchemie und damit chemische Möglichkeiten der Optimierung, obwohl dieszur Lösung der Integrationsprobleme notwendig ist. Im Projekt wird die einschlägige Precursorchemie mit Schwerpunkt auf ALD und die Wechselwirkung bekannter Precursor mit relevanten N-Quellen (Ammonia- und Hydrazin-Derivate) untersucht. Neue Precursoren sollen entwickelt werden, die maßgeschneiderte, gemischte (heteroleptische) Ligandensphären aufweisen, die sich aus Alkylimodo/amido-Liganden mit Hydrazid-, Azid- und im Besonderen mit b-Diketiminato- und Guadinidato-Gruppen zusammensetzen. Die besten neuen Precursor und Precursorverbindungenwerden für MOCVD und ALD von MN Phasen mit einem kommerziellen AIX 200 RF und einem ASM F120 Reaktor eingesetzt. CMOS Testbauteile werden in Zusammenarbeit mit den Partnern in Erlangen hergestellt und ihre elektrischen Eigenschaften werden charakterisiert.