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Main and Side Reaction Design for Exceeding the chemical vapor deposition rate limit
超越化学气相沉积速率限制的主反应和副反应设计
基本信息
- 批准号：17K06904
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Boron trichloride gas behaviour for chemical vapour deposition and etching at silicon surface
三氯化硼气体在硅表面化学气相沉积和蚀刻中的行为
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Mitsuko Muroi;Ayumi Saito and Hitoshi Habuka
- 通讯作者：Ayumi Saito and Hitoshi Habuka
Silicon epitaxial growth rate accelerated by parallel langmuir processes
平行朗缪尔工艺加速硅外延生长速率
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Ayami Yamada;Toru Watanabe;Ayumi Saito;Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka
- 通讯作者：Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka
Silicon epitaxial growth rate increased by adding SiHx to a SiHCl3-H2 system
通过在 SiHCl3-H2 系统中添加 SiHx 来提高硅外延生长速率
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Toru Watanabe;Ayami Yamada;Ayumi Saito;Ayumi Sakurai;Hitoshi Habuka
- 通讯作者：Hitoshi Habuka
シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの化学反応
三氯化硼气体在硅表面的化学反应
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Enkhzaya Solongo;Shiomori Koichiro;Oyuntsetseg Bolormaa;室井光子，山田彩未，齋藤あゆ美，羽深 等
- 通讯作者：室井光子，山田彩未，齋藤あゆ美，羽深 等
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Habuka Hitoshi其他文献
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