Main and Side Reaction Design for Exceeding the chemical vapor deposition rate limit
Main and Side Reaction Design for Exceeding the chemical vapor deposition rate limit
超越化学气相沉积速率限制的主反应和副反应设计
批准号：
17K06904
负责人：
Habuka Hitoshi
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Boron trichloride gas behaviour for chemical vapour deposition and etching at silicon surface
三氯化硼气体在硅表面化学气相沉积和蚀刻中的行为
三氯化硼气体在硅表面化学气相沉积和蚀刻中的行为
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mitsuko Muroi, Ayumi Saito and Hitoshi Habuka]
通讯作者：
Ayumi Saito and Hitoshi Habuka
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ayami Yamada, Toru Watanabe, Ayumi Saito, Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka]
通讯作者：
Ayumi Sakurai and Hitoshi Habuka
Silicon epitaxial growth rate increased by adding SiHx to a SiHCl3-H2 system
通过在 SiHCl3-H2 系统中添加 SiHx 来提高硅外延生长速率
通过在 SiHCl3-H2 系统中添加 SiHx 来提高硅外延生长速率
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Toru Watanabe, Ayami Yamada, Ayumi Saito, Ayumi Sakurai, Hitoshi Habuka]
通讯作者：
Hitoshi Habuka
シリコン表面における三塩化ホウ素ガスの化学反応
三氯化硼气体在硅表面的化学反应
三氯化硼气体在硅表面的化学反应
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Enkhzaya Solongo, Shiomori Koichiro, Oyuntsetseg Bolormaa, 室井光子，山田彩未，齋藤あゆ美，羽深 等]
通讯作者：
室井光子，山田彩未，齋藤あゆ美，羽深 等
海外基金