Organische Feldeffekt-Transistoren für spinpolarisierten Transport

用于自旋极化传输的有机场效应晶体管

• 批准号: 5450349
• 负责人: Professor Dr. Jean Geurts
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Experimentelle Physik III
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5450349?language=en
• 关键词: Organische; Feldeffekt; Transistoren; spinpolarisierten; Transport

Das Ziel des beantragten Projekts ist die Herstellung und Analyse organischer Feldeffekttransistoren (OFETS) für spinpolarisierten Transport. Hiermit soll das Spintronics-Konzept, das in anorganischen Halbleitersystemen bereits sehr intensiv verfolgt wird, auf organische Materialsysteme übertragen werden. Organische Halbleiter bieten für den Transport spinpolarisierter Ladungsträger einen entscheidenden Vorteil: Sie besitzen extrem lange Spin-Relaxationszeiten, bis zu 1 ¿s bei 300K, weil aufgrund der extrem leichten Elemente die Spin-Bahn-Kopplung und die Hyperfeinwechselwirkung vernachlässigbar klein sind. Die Spinpolarisation der Ladungsträger in den OFETs soll durch den Einsatz ferromagnetischer Materialien als Source- und Drainkontakt erzielt werden. Hierzu werden Co-Kontakte verwendet mit einer Al2O3 Tunnelbarriere zur Impedanzanpassung. Der aktive Kanal wird von einem ¿ -konjugierten organischen Halbleiter gebildet, in unserem Fall Dihexylquaterthiophen (DH4T). Unter Ausnutzung der bei den Antragstellern vorhandenen breiten Erfahrungen sowohl bzgl. der Herstellung von Mikro- und Nano-OFETs als auch bzgl. der Spininjektion in Halbleitern sollen die strukturellen, elektronischen und magnetischen Eigenschaften der Grenzfläche zwischen der Organikschicht und dem ferromagnetischen Kontaktmaterial, sowie auch das spinpolarisierte Transportverhalten der OFETs analysiert werden.

Das Ziel des beantragten Projekts ist die Herstellung und analyzeorganischer Feldeffekttransistoren (OFETS) for spinpolisierten Transport. Hiermit soll das Spintronics-Konzept, das in anorganischen Halbleitersystemen bereits sehr intensiv verfolt wird, auf Organische Materialsysteme übertragen werden.运输自旋极化的组织结构Hyperfeinwechselwirkung vernachlässigbar 克莱因信德OFET 中的自旋极化是由特殊铁磁性材料与源和漏极相关的。 Hierzu werden Co-Kontakte verwendet mit einer Al2O3 Tunnelbarriere zur Impedanzanpassung。 Der aktive Kanal wird von einem ¿ -konjugierten Organischen Halbleiter gebildet, in unserem Fall Dihexylquaterthiophen (DH4T)。 Unter Ausnutzung der bei den Antragstellern vorhandenen breiten Erfahrungen sowohl bzgl。 der Herstellung von Mikround- 和 Nano-OFET 也是 auch bzgl。旋转喷射在Halbleitern sollen die strukturellen、elektronischen和magnetischen Eigenschaften der Grenzfläche zwischen der Organikschicht和demferromagnetischen Kontaktmaterial，sowie auch das spinpolisierte Transportverhalten der OFETs analysiert werden。