Development of environmentally friendly Mg2Si IR sensor

环保型Mg2Si红外传感器的研制

基本信息

  • 批准号:
    17H03228
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Comparison of crystalline quality and electrical property of Mg2Si crystals grown using PBN and PG graphite crucible
PBN和PG石墨坩埚生长Mg2Si晶体的晶体质量和电性能比较
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F. Takahashi;D.Niioka;T. Miyauchi;H. Udono;Y.Fuse,R.Masubuchi,T.Ishikawa,K.Gosyuu,and H.Udono
  • 通讯作者:
    Y.Fuse,R.Masubuchi,T.Ishikawa,K.Gosyuu,and H.Udono
その場熱処理によるMg2Si結晶のキャリア濃度の低減
原位热处理降低Mg2Si晶体中载流子浓度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    郷州 桂伍;鵜殿 治彦;鵜殿治彦,鬼沢雄馬,中野達也;鱒渕稜平,布施雄太郎,鵜殿治彦;宮内壮流,新岡大介,高橋史也,鵜殿治彦,渡辺英一郎,津谷大樹;郷州桂伍,石川巧真,布施雄太郎,鱒渕稜平,矢口楓子,鵜殿治彦
  • 通讯作者:
    郷州桂伍,石川巧真,布施雄太郎,鱒渕稜平,矢口楓子,鵜殿治彦
マグネシウム誘起結晶化による多結晶シリコン薄膜の低温合成
镁诱导晶化低温合成多晶硅薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鬼沢 雄馬;秋山 智洋;中野 達也;津谷 大樹;鵜殿 治彦;南亮輔,笹島良太,鵜殿治彦,佐藤直幸,池畑隆
  • 通讯作者:
    南亮輔,笹島良太,鵜殿治彦,佐藤直幸,池畑隆
Influence of Humidity, Volume Density, and MgO Impurity on Mg2Si Thermoelectric-Leg
湿度、体积密度和 MgO 杂质对 Mg2Si 热电腿的影响
  • DOI:
    10.1007/s11664-016-5182-1
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. MITO;A. OGINO;S. KONNO;and H. Udono
  • 通讯作者:
    and H. Udono
OCVD法によるMg2Si-pn接合ダイオードのライフタイム評価
OCVD法评估Mg2Si-pn结二极管的寿命
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鱒渕稜平;布施雄太郎;原嘉昭;鵜殿治彦;鵜殿治彦,岡田理央,高橋史也
  • 通讯作者:
    鵜殿治彦,岡田理央,高橋史也
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakamura Rikuto;Onuku Teppei;Alinejad Babak;Yoshida Misa;Tsuya Daiju;Udono Haruhiko;Yuichi Otsuka
  • 通讯作者:
    Yuichi Otsuka
Reactive Ion Etching of Mg2Si Using SF6 and CF4 Gases
使用 SF6 和 CF4 气体反应离子蚀刻 Mg2Si
  • DOI:
    10.2139/ssrn.3972607
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nakamura Rikuto;Onuku Teppei;Alinejad Babak;Yoshida Misa;Tsuya Daiju;Udono Haruhiko
  • 通讯作者:
    Udono Haruhiko

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    $ 11.65万
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    2014
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    2014
  • 资助金额:
    $ 11.65万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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等离子体辅助低温合成 Mg2Si 薄膜
  • 批准号:
    25400530
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    12J07687
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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