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High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application

High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
用于超高速晶体管应用的绝缘体上应变Ge的高质量形成
批准号：
23360138
负责人：
SADOH Taizoh
金额：
$12.48万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360138/
关键词：
集積回路結晶成長トランジスタ半導体溶融成長

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To achieve ultrahigh-speed transistors, which can be merged with large-scale integrated circuits (LSIs), techniques for formation of high-quality strained Ge on insulator has been developed. Here, SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth, insulating-film-induced local-strain introduction, and impurity-doping processes are investigated. These techniques facilitate formation of ultrahigh-sped Ge-on-insulator transistors for advanced LSIs.
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会议论文
Laterally-Graded Doping into Ge-on-Insulator by Combination of Ion-Implantation and Rapid-Melting Growth
DOI： 10.1149/2.002307ssl
发表时间： 2013
期刊： ECS Solid State Letters
影响因子： --
作者： [R. Matsumura;M. Anisuzzaman;H. Yokoyama;T. Sadoh;M. Miyao]
通讯作者： R. Matsumura;M. Anisuzzaman;H. Yokoyama;T. Sadoh;M. Miyao
Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization
通过快速熔化结晶在绝缘膜上相干横向生长Ge
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Sadoh, M. Kurosawa, K. Toko, and, M. Miyao]
通讯作者： M. Miyao
(Invited) Orientation-Controlled Large-Grain SiGe Crystal on Flexible Substrate by Low -Temperature Metal-Induced Crystallization
（特邀）柔性衬底上低温金属诱导晶化定向控制大晶硅锗晶体
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Sadoh, J.-H. Park, and M. Miyao]
通讯作者： and M. Miyao
Mesh-shape-and-size controlled rapid-melting growth for the formation of single-crystalline (100), (110), and (111) Ge networks on insulators
DOI： 10.1063/1.3586259
发表时间： 2011-05
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [I. Mizushima;K. Toko;Yasuharu Ohta;Takashi Sakane;T. Sadoh;M. Miyao]
通讯作者： I. Mizushima;K. Toko;Yasuharu Ohta;Takashi Sakane;T. Sadoh;M. Miyao
共 22 条
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition-Type GeSn
    • 批准号：
      16K14234
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.25万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Low temperature growth of GeSn crystals on insulator and application to high-speed transistors for three dimensional LSI
    • 批准号：
      15H03976
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.57万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Development for High-Performance Tunnel Transistors with Direct-Transition Band Structure of Ge
    • 批准号：
      26630133
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.41万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Formation of strained quasi-single crystal SiGe on glass for transistor application
    • 批准号：
      20560011
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2008
    • 负责人：
      SADOH Taizoh
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金