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High-Quality Formation of Strained-Ge-on-Insulator for Ultrahigh-Speed Transistor Application
用于超高速晶体管应用的绝缘体上应变Ge的高质量形成
基本信息
- 批准号：23360138
- 负责人：
- 金额：$ 12.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
To achieve ultrahigh-speed transistors, which can be merged with large-scale integrated circuits (LSIs), techniques for formation of high-quality strained Ge on insulator has been developed. Here, SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth, insulating-film-induced local-strain introduction, and impurity-doping processes are investigated. These techniques facilitate formation of ultrahigh-sped Ge-on-insulator transistors for advanced LSIs.
为了实现可与大规模集成电路（LSI）合并的超高速晶体管，已经开发了在绝缘体上形成高质量应变Ge的技术。在这里，研究了 SiGe 混合触发的快速熔化生长、绝缘膜引起的局部应变引入和杂质掺杂过程。这些技术有利于先进LSI 的超高速绝缘体上Ge 晶体管的形成。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Laterally-Graded Doping into Ge-on-Insulator by Combination of Ion-Implantation and Rapid-Melting Growth
- DOI：10.1149/2.002307ssl
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Matsumura;M. Anisuzzaman;H. Yokoyama;T. Sadoh;M. Miyao
- 通讯作者：R. Matsumura;M. Anisuzzaman;H. Yokoyama;T. Sadoh;M. Miyao
Coherent Lateral-Growth of Ge over Insulating Film by Rapid-Melting-Crystallization
通过快速熔化结晶在绝缘膜上相干横向生长Ge
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sadoh;M. Kurosawa;K. Toko;and;M. Miyao
- 通讯作者：M. Miyao
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- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sadoh;J.-H. Park;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
Mesh-shape-and-size controlled rapid-melting growth for the formation of single-crystalline (100), (110), and (111) Ge networks on insulators
- DOI：10.1063/1.3586259
- 发表时间：2011-05
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：I. Mizushima;K. Toko;Yasuharu Ohta;Takashi Sakane;T. Sadoh;M. Miyao
- 通讯作者：I. Mizushima;K. Toko;Yasuharu Ohta;Takashi Sakane;T. Sadoh;M. Miyao
Recent Progress of Rapid-Melting-Growth for Laterally-Graded, Ge-Based Mixed-Crystals on Insurator
绝缘体上横向梯度Ge基混晶的快速熔融生长研究进展
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：E. Itoh;Y. Maruyama;and K. Fukuda;T. Sadoh
- 通讯作者：T. Sadoh
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$ 12.48万 - 项目类别：
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