Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions
Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions
批准号:
17H04812
负责人:
Yajima Takeaki
金额:
$15.81万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2017
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2017-04-01 至 2020-03-31
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超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
VO2 Mott 晶体管的特殊工作模式可实现超陡切换
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yajima T., Tanaka T., Samata Y., Uchida K., Toriumi A., Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, 矢嶋 赳彬]
通讯作者:
矢嶋 赳彬
Impact of Scaling the VO2-Channel Mott Transistor below Material Correlation Length
将 VO2 通道莫特晶体管缩放至低于材料相关长度的影响
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yajima T., Tanaka T., Samata Y., Uchida K., Toriumi A., Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima]
通讯作者:
Takeaki Yajima
相転移現象によって開かれる新しい電子デバイスと回路の可能性
相变现象为新电子设备和电路带来了可能性
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yajima T., Tanaka T., Samata Y., Uchida K., Toriumi A., Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, 矢嶋 赳彬, 矢嶋 赳彬, 矢嶋 赳彬, 矢嶋 赳彬]
通讯作者:
矢嶋 赳彬
VO2 Mott Transistors for Low-Voltage ON/OFF Switching.
用于低压开/关切换的 VO2 Mott 晶体管。
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yajima T., Tanaka T., Samata Y., Uchida K., Toriumi A., Takeaki Yajima, Takeaki Yajima]
通讯作者:
Takeaki Yajima
VO2モットトランジスタにおける微細化の影響
小型化对 VO2 Mott 晶体管的影响
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Yajima T., Tanaka T., Samata Y., Uchida K., Toriumi A., Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, Takeaki Yajima, 矢嶋 赳彬, 矢嶋 赳彬]
通讯作者:
矢嶋 赳彬
共 11 条
Study on the rate limiting process of the gate-induced phase transition and the speed limit of the phase transition transistor
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批准号:20H02615
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.4万
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财政年份:2020
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负责人:Yajima Takeaki
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依托单位:
Study on 0.1V electronics using proton in solids
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批准号:20K20553
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.64万
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财政年份:2020
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负责人:Yajima Takeaki
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依托单位:
Analog devices based on proton control in oxides for future AI hardware
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批准号:17K18869
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2017
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负责人:Yajima Takeaki
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依托单位:
Operation mechanism of VO2-channel Mott transistors and their low-voltage operation
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批准号:15K17466
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2015
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负责人:Yajima Takeaki
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依托单位:
海外基金