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Operation mechanism of VO2-channel Mott transistors and their low-voltage operation

Operation mechanism of VO2-channel Mott transistors and their low-voltage operation
VO2沟道莫特晶体管的工作机制及其低电压工作
批准号：
15K17466
负责人：
Yajima Takeaki
金额：
$2.58万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K17466/
关键词：
酸化バナジウムモット転移金属絶縁体転移相転移電界効果トランジスタショットキー接合酸化物ヘテロ構造エピタキシャル界面固体ゲート集団性モットトランジスタ

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VO2薄膜への局所的な不純物ドープによる独立フォノンの形成
VO2薄膜中局部杂质掺杂形成独立声子
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima]
通讯作者： T. Yajima
Interaction between 2D Electrons and 3D Metal-Insulator Transitions in VO2-Channel Transistors.
VO2 通道晶体管中 2D 电子与 3D 金属绝缘体跃迁之间的相互作用。
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima, Takeaki Yajima]
通讯作者： Takeaki Yajima
Time Response to The Gate Voltagein Strongly Correlated TransistorsUsing Epitaxial VO2/TiO2 Stacks
使用外延 VO2/TiO2 堆栈的强相关晶体管中栅极电压的时间响应
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yajima, T. Nishimura, A. Toriumi, T. Yajima, T. Yajima, T. Yajima]
通讯作者： T. Yajima
Interaction between 2D electrons and 3D metal-insulator transition in VO2-channel transistors
VO2 沟道晶体管中 2D 电子与 3D 金属绝缘体跃迁之间的相互作用
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yajima, T. Nishimura, and A. Toriumi]
通讯作者： and A. Toriumi
共 10 条
    Study on the rate limiting process of the gate-induced phase transition and the speed limit of the phase transition transistor
    • 批准号：
      20H02615
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.4万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yajima Takeaki
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Study on 0.1V electronics using proton in solids
    • 批准号：
      20K20553
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
    • 资助金额：
      $16.64万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yajima Takeaki
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Device physics of low-voltage transistors using gate-induced phase transitions
    • 批准号：
      17H04812
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
    • 资助金额：
      $15.81万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Yajima Takeaki
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Analog devices based on proton control in oxides for future AI hardware
    • 批准号：
      17K18869
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Yajima Takeaki
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金