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Local emission and defect of AlGaN ternary alloy by microscopic spectroscopy and efficiency reduction mechanism

通过显微光谱和效率降低机制研究 AlGaN 三元合金的局域发射和缺陷

基本信息

批准号：
22K04184
负责人：
倉井聡
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

スパッタAlNテンプレート上に成長した深紫外AlGaN多重量子井戸(MQW)構造のカソードルミネッセンス(CL)強度分布像を取得し、貫通転位に対応する暗点コントラストを解析する手法を用いて実効拡散長を解析した。また、温度-励起パワー密度依存フォトルミネッセンス(PL)法により求めた内部量子効率(IQE)と比較した。量子井戸数を固定し、転位密度が同程度でIQEが異なる深紫外AlGaN MQWを比較した。スパッタAlNテンプレート厚さが異なる試料において室温のIQE はそれぞれ41～90%と見積もられた。CL強度分布像の暗点コントラストから求めた実効拡散長はIQEとの間に正の相関を有しており、IQEが高い試料において実効拡散長がより長くなることを示した。このことは、CLマッピング評価法が転位評価のみならず、点欠陥評価への利用の可能性を広げるものである。今回の評価においてスパッタAlN厚さとIQEの相関は得られておらず、点欠陥の起源についての考察には至っていないが、今後同様の評価を用いて理解を深めることが可能となるだろう。また、井戸数が異なる(3層、10層)AlGaN MQWの比較において、IQEが高い井戸数を有するMQWにおいてCL強度分布像の暗点コントラストから求めた実効拡散長が長くなる傾向が確認された。井戸数が異なるMQW試料の貫通転位密度がほぼ同じであることと併せて、MQW 上層の点欠陥が減少しIQEが増加したことが示唆された。

スパッタAlN テンプレート上にgrowing したdeep ultraviolet AlGaN multiple quantum well (MQW) structure のカソードルミネッセンス(CL) Intensity distribution image acquisition, penetration of dark spots, analysis of dark spots, and analysis of dark spots.また, temperature-excited density-dependent フォトルミネッセンス (PL) method to calculate めた internal quantum efficiency (IQE) and comparison した. The number of quantum wells is fixed and the bit density is the same, so IQE is different and the deep ultraviolet AlGaN MQW is compared.スパッタAlN テンプレート thick さがdifferent なる sample において room temperature のIQE はそれぞれ41～90%と见区もられた. CL intensity distribution is like a dark spot, a dark spot, and a positive correlationを有しており、IQEが高いSampleにおいて実effect拡san长がより长くなることをshowした.このことは, CLマッピング evaluation method が転 Position evaluation価のみならず, point owed 陥review価へのutilizationのpossibilityを広げるものである. This time's review 価においてスパッタAlN thickさとIQEのrelatedは得られておらず、Point owes the origin of the originについてのinvestigation には to っていないが, from now on, I will use いて to understand を深めることがpossible となるだろう with 様のvaluation価を.また、Ito number different なる (3 layers, 10 layers) AlGaN MQW's comparison, IQE's high strength The distribution is like a dark spot, a dark spot, and a tendency to confirm. The number of wells is different and the MQW sample is the same as the bit density of the MQW sample. MQW The point of the upper layer is that the IQE is reduced and the IQE is increased and the IQE is increased.