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Local emission and defect of AlGaN ternary alloy by microscopic spectroscopy and efficiency reduction mechanism

通过显微光谱和效率降低机制研究 AlGaN 三元合金的局域发射和缺陷

基本信息

批准号：
22K04184
负责人：
倉井聡
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
起止时间：
2022-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

スパッタAlNテンプレート上に成長した深紫外AlGaN多重量子井戸(MQW)構造のカソードルミネッセンス(CL)強度分布像を取得し、貫通転位に対応する暗点コントラストを解析する手法を用いて実効拡散長を解析した。また、温度-励起パワー密度依存フォトルミネッセンス(PL)法により求めた内部量子効率(IQE)と比較した。量子井戸数を固定し、転位密度が同程度でIQEが異なる深紫外AlGaN MQWを比較した。スパッタAlNテンプレート厚さが異なる試料において室温のIQE はそれぞれ41～90%と見積もられた。CL強度分布像の暗点コントラストから求めた実効拡散長はIQEとの間に正の相関を有しており、IQEが高い試料において実効拡散長がより長くなることを示した。このことは、CLマッピング評価法が転位評価のみならず、点欠陥評価への利用の可能性を広げるものである。今回の評価においてスパッタAlN厚さとIQEの相関は得られておらず、点欠陥の起源についての考察には至っていないが、今後同様の評価を用いて理解を深めることが可能となるだろう。また、井戸数が異なる(3層、10層)AlGaN MQWの比較において、IQEが高い井戸数を有するMQWにおいてCL強度分布像の暗点コントラストから求めた実効拡散長が長くなる傾向が確認された。井戸数が異なるMQW試料の貫通転位密度がほぼ同じであることと併せて、MQW 上層の点欠陥が減少しIQEが増加したことが示唆された。

In order to improve the growth of the deep ultraviolet AlGaN multiple quantum well (MQW), the deep ultraviolet multiple quantum well (MQW) is used to analyze the intensity distribution of the deep ultraviolet multiple quantum well (MQW). The results show that the intensity distribution of the CL is similar to that of the laser. Temperature, temperature-excitation, density dependence, density dependence, temperature, temperature, excitation, temperature, excitation, temperature, temperature, temperature, The number of quantum wells is fixed, and the bit density is the same as that of IQE and deep ultraviolet AlGaN MQW. The temperature of the room temperature is much higher than that of the room temperature (IQE). The temperature of the room temperature is 41.90%. The thickness of the material is very low. The CL strength distribution is similar to that of the IQE intensity distribution, which is directly related to each other, and the IQE strength distribution is similar to that of the IQE material. This is the best way to make use of the possibility that you can take advantage of the possibility that you can make use of the possibility that you will not be able to use the CL. This time, I am sorry to hear that the AlN is thick and IQE is so thick that it is not possible to find out the origin of the disease. The number of wells, the number of AlGaN MQW, the number of wells, the number of wells, the number of wells, The number of wells, the number of MQW materials, the bit density, the number of points on the MQW, the number of points on the MQW, the number of points, and the number of points on the MQW.