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Improving the output current of boron-doped diamond MOSFETs

Improving the output current of boron-doped diamond MOSFETs
提高硼掺杂金刚石 MOSFET 的输出电流
批准号：
23K03966
负责人：
劉 江偉
金额：
$3.0万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23K03966/
关键词：
ダイヤモンドMOSFET

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  • 批准号：
    2026JJ60454
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    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
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    省市级项目
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    --
  • 批准年份：
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    --
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