Improving the output current of boron-doped diamond MOSFETs

提高硼掺杂金刚石 MOSFET 的输出电流

基本信息

  • 批准号：
    23K03966
  • 负责人：
    劉 江偉
  • 金额：
    $ 3万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2023
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态：
    未结题

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项目成果

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