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Methoden der Selbstreparatur für Logik-Baugruppen und Verbindungsstrukturen in Nano-Technologien (SELNA)

Methoden der Selbstreparatur für Logik-Baugruppen und Verbindungsstrukturen in Nano-Technologien (SELNA)
纳米技术中逻辑组件和连接结构的自修复方法(SELNA)
批准号:
63403581
负责人:
Professor Dr.-Ing. Heinrich Theodor Vierhaus
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2007
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2006-12-31 至 2010-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
从1970年开始,哈贝特的技术创新指数就会下降,这就是“摩尔定律”的地方主义者。MIT der Reduzierung der Strukturgröüen auf AbMessungen von Veniger ALS 100 nm treten Jedoch Neue Grizen der Entwickroufauf.问题是,在哈尔布赖特--贝斯切本工业的“ITRS-路线图”中,可能会有L的身影和更多的潜在可能。Dazu gehören auf der Einen Seite Probleme in Tableme in Inzwitchen Kleiner Als De Wellenlänge des zur Abbildung der Masken auf die Wafer verwenten UV-Lichtes.这是一个很难解决的问题,因为这是一件非常重要的事情。Ausbeuten的Zur Nachträglichen Optimierung和Z.T.Schon im einatz Sind的诊断结果表明,这是一项非常重要的工作。这是一个非常重要的问题,也就是我们的统计数据。他说:“我不知道什么是最重要的,也不是最重要的。”它将是一种新的技术和技术,并不适用于电子技术领域。从现在开始,我们将继续努力,寻找更多多余的资源,以便更好地利用它们。Solche Techniken是Be Speicher-Bausteinen在麻省理工学院的错误集。SIE的过敏症是根据ITRS-Roadmap Auch SPäteens Ab2012 auch für Logik Benötigt.Eine Passende Technologie Zur eingebauten Selbstreparatur(内置自修复-BISR)steht bis 2012床铺,danach(für höhere Fehlerdichten)noch ga niht zur Verfügung。她在西边的地衣里找到了她。Nanoelektronik-Schaltungen sind darüber hinaus sowohl and fällig gegenüber trumenten en fehlereffekten z.b.dh h e n e h e bleibende defekte(O H N E N E Bleibende Defekte)d h n e e n e n zelner Bauelement e e inzelner Bauelemente and Verbindungs strukturen d e inzelner Bauelement e e inzelner Bauelement e e inzelner Bauelemente and Verbindung s strukturen d h.我们不知道该如何处理这些问题,也不知道该如何处理这些问题,也不知道如何处理这些问题。这是一种新的算法,也是一种新的算法,这就是L和他所在的国家。这是一个信息问题和L的问题,以及哈尔布赖特的技术问题。
英文摘要
Die Entwicklung der Halbeiter-Technologie hat sich seit 1970 nach einer exponentiellen Wachstumskurve vollzogen, die als „Moores’ Law“ berühmt geworden ist. Mit der Reduzierung der Strukturgrößen auf Abmessungen von weniger als 100 nm treten jedoch neue Grenzen der Entwicklung auf. Probleme, potenzielle Lösungen und der potenzielle Stand der Entwicklung sind in der jährlich aktualisierten „ITRS - Road Map“ der Halbleiter-Industrie beschrieben. Dazu gehören auf der einen Seite Probleme der Lithographie, da die minimalen Strukturgrößen inzwischen kleiner als die Wellenlänge des zur Abbildung der Masken auf die Wafer verwendeten UV-Lichtes ist. Dieses Problem scheint durch die Kombination von Vorabkorrekturen der Masken-Strukturen zur Berücksichtung der Abbildungsfehler behebbar. Zur nachträglichen Optimierung der Ausbeuten werden diagnostischen Testverfahren für den Fertigungstest benötigt, die derzeit mit Hochdruck entwickelt werden und z. T. schon im Einsatz sind. Der zweite Problembereich ergibt sich aus statistischen Schwankungen der Eigenschaften von Bauelementen wie Transistoren. Diese enthalten im Kanalbereich nur noch eine so geringe Zahl von Atomen, dass unvermeidbare Schwankungen der Verteilung von Dotieratomen zu Schwankungen kritischer Bauelement-Parameter wie der Schwellenspannungen von MOS- Transistoren führen. Damit wird sich für Nanoelektronik-Schaltungen ein Anteil von Transistoren ergeben, die außerhalb der zulässigen elektrischen Spezifikation liegen. Um trotzdem noch zu wettbewerbsfähigen Ausbeuten der Fertigung zu kommen, wird es notwendig, nicht funktionierende Bauelemente oder Baugruppen bereits beim Fertigungstest zu finden und durch redundant vorhandene Ressourcen zu ersetzen. Solche Techniken werden bei Speicher-Bausteinen bereits mit Erfolg eingesetzt. Sie werden allerdings nach der ITRS-Roadmap auch spätestens ab 2012 auch für Logik benötigt. Eine passende Technologie zur eingebauten Selbstreparatur (Built-in Self Repair-BISR) steht bis 2012 bedingt, danach (für höhere Fehlerdichten) noch gar nicht zur Verfügung. Sie soll hier in wesentlichen Teilen entwickelt werden. Nanoelektronik-Schaltungen sind darüber hinaus sowohl anfällig gegenüber transienten Fehlereffekten z. B. durch radioaktive Strahlung (ohne bleibende Defekte) als auch gegenüber Spätausfällen einzelner Bauelemente und Verbindungsstrukturen durch Stress-Effekte. Wir gehen deshalb davon aus, dass die ohnehin benötigte Redundanz zum Ausgleich von Fertigungsfehlern auch dazu dienen soll, im Anwendungsfeld ausfallende Bauelemente zu ersetzen.Eine Technologie der „eingebetteten“ Selbstreparatur ist für Speicher und, in Ansätzen, für regulär aufgebaute Logik vorhanden, nicht jedoch für irreguläre Strukturen und für Verbindungsnetze. Nach ersten eigenen Vorarbeiten und maßgeblichen Experten-Urteilen besteht hier der Bedarf an neuen Schaltungsarchitekturen einerseits und an neuen Algorithmen andererseits, um zu wirtschaftlich sinnvollen Lösungen zu kommen. Das hier beantragte Vorhaben konzentriert sich auf Informatik- nahe Probleme und Lösungen und behandelt keine eigentlichen Aspekte der Halbleiter-Technologie.
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会议论文
Design Method for Digital Logic Circuits with Optimization for Dependability and Life Time
  • 批准号:
    239166496
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heinrich Theodor Vierhaus
  • 依托单位:
Entwicklung von hierarchisch orientierten Methoden und Werkzeugen für den Test und Selbsttest hochintegrierter Systeme (SoCs)
  • 批准号:
    5432654
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heinrich Theodor Vierhaus
  • 依托单位:
Methods and Tools for the Combination od On-line and Off-line Self Test in Ebedded Systems
  • 批准号:
    5283212
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr.-Ing. Heinrich Theodor Vierhaus
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
Der lin-1在头颈部鳞癌中对紫杉醇耐药性作用机制的研究
  • 批准号:
    2022JJ70171
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    黎可华
  • 依托单位:
γδT17细胞通过GRPR和NPRA通路介导尘螨Der f 2诱发特应性皮炎瘙痒的机制
  • 批准号:
    82171764
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    54万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    刘雪婷
  • 依托单位:
Van der Waals 异质结中层间耦合作用的同步辐射研究
  • 批准号:
    U2032150
  • 项目类别:
    联合基金项目
  • 资助金额:
    60.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    戚泽明
  • 依托单位:
鉴定粉尘螨新过敏原方法学创新及新发现Der f39促进肥大细胞迁移机制的研究
  • 批准号:
    82071806
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    55.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    吉坤美
  • 依托单位: