高密度アナログ情報記憶デバイスの集積化に関する研究

高密度模拟信息存储器件集成化研究

• 批准号: 08750391
• 负责人: 水柿 義直
• 金额: $ 0.7万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750391/
• 关键词: アナログメモリ; フローティングゲート; SDAM; MOS; 平坦化プロセス; 集積プロセス; 集積回路

東北大学電気通信研究所の澤田教授らのグループによって開発されたSDAM(Switched Diffusion Analog Memory)デバイスは、フローティングゲートの電位をアナログ値として記憶するデバイスである。SDAMデバイスは、フローティングゲートを備えたMOSデバイス、トンネル接合を備えたフローティングゲートへの電荷注入(排出)部、及びMOSデバイス上のフローティングゲート部への電荷の拡散を制御するTFT(Thin-Film Transistor)から構成され、これまで神経回路網や連想メモリに集積化に応用されてきた。本研究では、まずこれまでのSDAMデバイスのパラメータについて、素子面積、特にキャパシタの面積が削減できるようなパラメータについてシミュレーションを通して再検討した。その結果、ソースフォロアによるフィードバック方式を採用することで、書き込み電位の線形性を向上させ、なおかつキャパシタの面積を十分の一以下に低減することができた。次に微細加工プロセスとして、トンネル酸化層部とフローティングゲートの段差を平坦化法として、これまでのサイドウォール法に代えてレジイストエッチバック法を採用した。実際に集積回路を作製し、その測定の結果、MOSデバイスの歩留まりが飛躍的に向上したことが確認できた。また、TFTやキャパシタの特性についても改善が見られ、アナログメモリデバイスの高集積化実現への基本方針が確立された。

Professor Huan Tian of the Institute of Telecommunications and Telecommunications of Peking University, Beijing University, is interested in the opening of the SDAM (Switched Diffusion Analog Memory) system, and the potential of the computer. SDAM equipment, equipment On the Internet, you want to actively use the loopback network. In this study, we need to know that there is a problem in the study, that is, we need to know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do in this study. in this study, we do not know what to do. The results of the test, the results, the results, the results and the results. In the second part of the micro-processing, the acidizing method is used to reduce the difference between the two parts of the machine. The international collection loop is used to verify the results of the test, and MOS is required to make sure that the results are correct. In order to improve the performance of the system, the TFT system is required to improve the performance of the system.

项目成果

Y. Mizugaki: "Experimental Operation of an RS Flip-Flop Composed of Non-latching Josephson Gates" IEEE Trans. Appl. Superconduct. 6・2. 90-93 (1996)

Y. Mizugaki：“由非锁存约瑟夫森门组成的 RS 触发器的实验操作”IEEE Trans. 90-93。

Y. Mizugaki: "Numerical Investigation and Model Approximation for the Hysterelic Curent-Voltage Characteristeics of Josephson Junctions with Nonlinear Quasiparticle Resistance" Jpn. J. Appl. Phys.36・1A. 110-113 (1997)

Y. Mizugaki：“具有非线性准粒子电阻的约瑟夫逊结的迟滞电流-电压特性的数值研究和模型近似”Jpn. J. Phys.36・113 (1997)

T. Onomi: "Binary Counter with New Interface Circuits in the Extended Phase-mode Logic Family" IEICE Trans. Electron.E79-C・9. 12001-1205 (1996)

T. Onomi：“扩展相模式逻辑系列中具有新接口电路的二进制计数器”IEICE Trans.E79-C·9（1996）。