课题基金 / 基金详情

SOI構造を用いた容量型3軸加速度センサのマルチチップ法による試作

SOI構造を用いた容量型3軸加速度センサのマルチチップ法による試作
采用多芯片方法采用 SOI 结构的电容式 3 轴加速度传感器的原型制作
批准号:
08750400
负责人:
松本 佳宣
金额:
$0.64万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究は、Silicon On Insutator構造(以下、SOI構造と略す)を利用した3軸方向検出用のシリコン加速度センサを、電子線描画装置を用いたマルチチップ法により製作して、異なる感度、測定範囲の加速度センサを同時に製作、評価する事を目的として平成8年4月より1年間をかけて実施された。主な成果は以下のとおりである。1.加速度センサ設計、製作有限要素法を用いた構造解析プログラム(ANSYS)を利用して加速度センサの設計を行い、CADソフトを用いてセンサのレイアウト設計を行い、電子線描画装置を用いてマルチチップ法により加速度センサ製作用のマスク(乾板)を製作した。続いて、本学の半導体製造装置とマイクロマシニング技術、集積回路技術を利用して加速度センサの製作を行った。SOI型加速度センサの製作においては、センサと基板がエッチング時や使用中に貼り付く現象(スティッキング)がおこり問題となっている。このため、スティッキングを防ぐ技術を研究、開発した。2.容量検出集積回路設計、製作回路シミュレーションプログラム(SPICE)を用いて加速度センサ用の容量検出ICを設計して、研究室所有のCADソフト等を用いてIC製作用のマスク(乾板)を製作した。続いて、大学の集積回路製作設備を用いてCMOS回路技術による容量検出ICを製作して、その特性を評価した。3.加速度センサ、容量検出集積回路測定評価加速度センサおよび容量検出集積回路を組み合わせ、加速度に対する出力特性の測定評価を行った。静電引力を用いて擬似的に加速度をかけた結果では、センサとしての動作が確認された。センサと回路の歩留まりが悪く正確に評価できていないため、今後それらを改善して精密に評価する予定である。4.センサと回路を一体化した集積化センサの試作加速度センサおよび容量検出集積回路を同一SOI基板上に一体化した集積化センサを試作した。集積化プロセスを開発、検討して、回路とセンサが一体化できる事を確認した。
英文摘要
本研究は、Silicon On Insutator構造(以下、SOI構造と略す)を利用した3軸方向検出用のシリコン加速度センサを、電子線描画装置を用いたマルチチップ法により製作して、異なる感度、測定範囲の加速度センサを同時に製作、評価する事を目的として平成8年4月より1年間をかけて実施された。主な成果は以下のとおりである。1.加速度センサ設計、製作有限要素法を用いた構造解析プログラム(ANSYS)を利用して加速度センサの設計を行い、CADソフトを用いてセンサのレイアウト設計を行い、電子線描画装置を用いてマルチチップ法により加速度センサ製作用のマスク(乾板)を製作した。続いて、本学の半導体製造装置とマイクロマシニング技術、集積回路技術を利用して加速度センサの製作を行った。SOI型加速度センサの製作においては、センサと基板がエッチング時や使用中に貼り付く現象(スティッキング)がおこり問題となっている。このため、スティッキングを防ぐ技術を研究、開発した。2.容量検出集積回路設計、製作回路シミュレーションプログラム(SPICE)を用いて加速度センサ用の容量検出ICを設計して、研究室所有のCADソフト等を用いてIC製作用のマスク(乾板)を製作した。続いて、大学の集積回路製作設備を用いてCMOS回路技術による容量検出ICを製作して、その特性を評価した。3.加速度センサ、容量検出集積回路測定評価加速度センサおよび容量検出集積回路を組み合わせ、加速度に対する出力特性の測定評価を行った。静電引力を用いて擬似的に加速度をかけた結果では、センサとしての動作が確認された。センサと回路の歩留まりが悪く正確に評価できていないため、今後それらを改善して精密に評価する予定である。4.センサと回路を一体化した集積化センサの試作加速度センサおよび容量検出集積回路を同一SOI基板上に一体化した集積化センサを試作した。集積化プロセスを開発、検討して、回路とセンサが一体化できる事を確認した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
松本佳宣、皆川郁靖、石田 誠: "SOI構造を用いた容量型3軸加速度センサの試作" 第14回「センサの基礎と応用」シンポジウム 和文速報. 71 (1996)
Yoshinobu Matsumoto、Ikuyasu Minakawa、Makoto Ishida:“采用 SOI 结构的电容式 3 轴加速度传感器原型”第 14 届“传感器基础与应用”研讨会日本公告 71(1996 年)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
Y.Matsumoto K.Yoshida M.Ishida: "Fuorocarbon film for passivation from alkaline etchant and elimination of in-use stiction." The 9th Int.Conf.on Solid-State Sensors and Actators (transducers'97). (発表予定). (1997)
Y.Matsumoto K.Yoshida M.Ishida:“用于碱性蚀刻剂钝化和消除使用中静摩擦力的氟碳薄膜。”第九届固态传感器和执行器国际会议(传感器97)。 )(1997)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Takao,Y.Matsumoto et al.: "Analysis and Design Considera-tions of Three Dimensional Vector Accelerometer Using SOI structure for High Temperature Range"," Sensors and Actuators A. 91-97 (1990)
H.Takao、Y.Matsumoto 等人:“高温范围内使用 SOI 结构的三维矢量加速度计的分析和设计考虑”,传感器和执行器 A. 91-97 (1990)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
高尾英邦、松本佳宣、石田 誠: "p型反転層のピエゾ抵抗効果を用いたCMOS集積化3軸加速度センサ" 電気学会センサ・マイクロマシン部門総合研究会. PS-96-14. 71-80 (1996)
Hidekuni Takao、Yoshinobu Matsumoto、Makoto Ishida:“利用 p 型反转层压阻效应的 CMOS 集成 3 轴加速度传感器”IEEJ 传感器和微机械部门综合研究组 PS-96-80(1996)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
共 6 条
    紫外線発光ダイオード露光源と回転機構による微小3次元曲面形成法
    • 批准号:
      19651064
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.18万
    • 财政年份:
      2007
    • 负责人:
      松本 佳宣
    • 依托单位:
    海外基金