極低温走査トンネル分光/電位差計によるシリコン表面の微細的電気活性の測定

使用低温扫描隧道光谱/电位计测量硅表面的微电活性

• 批准号: 08750031
• 负责人: 長尾 忠昭
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750031/
• 关键词: 走査トンネル顕微鏡; 走査トンネル分光; シリコン; 表面; 電気特性

本研究では走査トンネル分光法(STS)と走査トンネル電位差法(Scanning Tunneling Potentiometry: STP)を用いて原子レベルの電子状態・電気特性とサブミクロン以上の尺度における電気伝導度との関連を明らかにすることが目的である。通常のSTS測定によって原子分解能での電子状態の評価を行い、さらに、深針を表面ぎりぎりで接触させることによって(トンネル効果ではない)電気伝導度をも測定する。更に本研究では半導体のキャリアが凍結する極低温条件を利用し、シリコン表面のSTP測定を初めて試みる、このSTP用としいて試料表面の電位分布を画像の明暗として2次元的に記録できる測定プログラムを導入した。また、準備実験として液体窒素温度、液体ヘリウム温度においてシリコン表面の原子分解能像が得られることを確認した。研究対象としてまず、金を吸着させた単結晶シリコン表面を選び、この系の興味ある相転移が表面超構造の分域境界の形態の変化によって説明できることを見出した。次のステップとして、様々な超構造とその分域形態を選択的に作成した上でSTS、STP測定を行い、分域構造と微視的電位分布との関係、さらにはこれらが巨視的電気伝導度に及ぼす影響を評価してゆく。

In this study, we investigated the electronic states, electrical properties, electrical conductivities, and correlations of atomic and atomic parameters by STS and STP. Generally, STS measurement is used to evaluate the electronic state of atomic decomposition energy. In addition, it is used to measure the electrical conductivity of deep needles. In addition, this study aims to introduce the measurement of STP on the surface of a semiconductor under extremely low temperature conditions, including the potential distribution on the surface of the sample, and the light and dark recording of the surface of the sample. The temperature of the liquid, the temperature of the liquid, the atomic decomposition energy image of the surface, etc. are confirmed. Study on the crystal structure of the surface, the phase shift of the system and the morphology of the surface superstructure. The relationship between the sub-structure and the potential distribution of the Weishi app, and the influence of the sub-structure on the electrical conductivity of the micro-vision are evaluated.

项目成果

Y.Nakajima,C.Osliima,T.Nagao,S.Hasegawa: "Two-cl,mensional acatomgns or the Si(III)-(√<3>×√<3>)-Ag surface detected thiough changes in electional corduction" Physical.Rsview B. Vol.54, No19. 14134-14138 (1996)

Y.Nakajima、C.Osliima、T.Nagao、S.Hasekawa：“通过选举传导的变化检测到两个 cl、mensional acatogns 或 Si(III)-(√<3>×√<3>)-Ag 表面“Physical.Rsview B.Vol.54，No19.14134-14138 (1996)

Y.Nakajima,C.Osliima,T.Nagao,S.Hasegawa,G.Klose,H.Pnis: "Critical scrattaing at the udn-disoder phase thansition of Si(III)-√<3>×√<3> R30°-Au surface : A plioscition suth palticleexchainge" Physical. (accoped for pubilation).

Y.Nakajima、C.Osliima、T.Nagao、S.Hasekawa、G.Klose、H.Pnis：“Si(III)-√<3>×√<3> R30 的 udn-disoder 相比的临界划痕°-Au 表面：物理上的 plioscition suth 粒子交换。（已出版）。

T.Nagus,Y.Iizuka,T.Shimazaki,C.Oshima: "sulfoce phonops of Na-inctoced supcrstioaltuies on Al(III)"

T.Nagus、Y.Iizuka、T.Shimazaki、C.Oshima：“Al(III) 上 Na-intoced superstioaltuies 的磺基声头”