原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
批准号:
06236204
负责人:
小間 篤
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1994
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1994 至 --
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英文摘要
本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成6年度は、これまでにモアレ変調構造を測定した物質以外の層状物質間でのヘテロ構造を作製し、変調構造が現れるかどうか実験を行った。また昨年に引き続き、アルカリ金属吸着により層状物質表面に現れる局所的電子変調構造のSTM像及びトンネルスペクトルの測定を行い、金属や層状物質の種類の違いによる差異が現れるかどうかの検証を行った。金属性の層状遷移金属ダイカルコゲナイドTaSe_2基板上にMoSe_2薄膜を成長した試料では、これまでの所モアレ変調構造は観察されていない。自由電子による遮蔽効果がその原因としては考えられるが、詳細は検討中である。またMoS_2基板上にIII-VI層状化合物半導体GaSeの薄膜を成長した試料でも、やはりモアレ変調は観察されていない。成長する薄膜物質のフェルミ準位近傍に存在するd軌道の電子に対する変調作用がモアレ構造を発現させていると考えている。アルカリ金属吸着表面では、これまでのNa吸着の他、Cs吸着表面でも同様の変調構造が現れることが確認された。また価電子帯領域のSTM像に現れる輝点は、リング状の構造ではなく、非対称なU字型の構造を持つことが見いだされた。さらにこの価電子帯領域での電子変調は、真空中に鋭く突き出ており、STM探針先端を逆に操作する形となり、先端構造を反映したゴ-スト像が現れることも見い出された。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H.Abe,K.Kataoka,K.Ueno,A.Koma: "STM Observation of Metal-adsorbed Layered Semiconductor Surfaces." Jpn.J.Appl.Phys.(印刷中). (1995)
H.Abe、K.Kataoka、K.Ueno、A.Koma:“金属吸附层状半导体表面的 STM 观察”(Jpn.J.Appl.Phys)(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Yamamoto,Y.Soshii,K.Soiki,A.Koma: "Improved Heteroepitaxial Growth of Layered NbSe_2 on GaAs(111)B" J.Vac.Sci.Technol.A12. 125-129 (1994)
H.Yamamoto、Y.Soshii、K.Soiki、A.Koma:“改进 GaAs(111)B 上层状 NbSe_2 的异质外延生长”J.Vac.Sci.Technol.A12。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Ueno,M.Sakurai,A.Koma: "Van der Waals epitaxy on hydrogen-termirated Si(111) Surfaces and investigation of its growth mechanism by atomic force microscope" J.Cryst.Growth. (印刷中). (1995)
K.Ueno、M.Sakurai、A.Koma:“氢终止 Si(111) 表面上的范德华外延及其通过原子力显微镜研究其生长机制”J.Cryst.Growth(出版中)。 )
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
フラーレンおよびその化合物のヘテロ構造化による新物性の探求
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批准号:11165212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1999
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ヘテロ素構造の高次組織化による新機能発現
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批准号:07241102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$65.15万
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财政年份:1995
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とのその物性の解明
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批准号:06224206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1994
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负责人:小間 篤
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依托单位:
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
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批准号:05245203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.37万
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财政年份:1993
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明
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批准号:05211206
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1993
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ファンデアワールス・エピタキシー法によるフラーレン超薄膜の作製とその物性の解明
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批准号:05233208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1993
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负责人:小間 篤
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依托单位:
層状物質を用いた生層-半導体ヘテロ構造の作成とその特性の解明
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批准号:01650511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1989
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ファンデルワ-ルス・エピタキシ-法による人工準結晶の作成とその物性の解明
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批准号:01630503
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1989
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负责人:小間 篤
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依托单位:
フアン・デルワールスエピタキシー法による人工準結晶の作成とその物性の解明
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批准号:63630503
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1988
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负责人:小間 篤
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依托单位:
ファンデルワ-ルス界面を利用した単結晶超薄膜の作成とその精密物性の解明
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批准号:63420021
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$19.14万
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财政年份:1988
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负责人:小間 篤
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依托单位:
減速グリッド付高分解能単円筒鏡型電子エネルギー分析器の試作研究
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批准号:59850001
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.94万
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财政年份:1984
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负责人:小間 篤
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依托单位:
層状物質を用いた極薄膜ヘテロ構造の作製と物性測定
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批准号:58209008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.83万
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财政年份:1983
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负责人:小間 篤
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依托单位:
角度分解エネルギー損失分光による固体の電子構造の研究
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批准号:57460051
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.18万
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财政年份:1982
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负责人:小間 篤
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依托单位:
層状物質を用いた極薄膜ヘテロ構造の作製と物性測定
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批准号:57217008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1982
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负责人:小間 篤
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依托单位:
極薄膜金属-半導体構造による励起子超伝導の研究
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批准号:X00080----546046
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.38万
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财政年份:1980
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负责人:小間 篤
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依托单位:
高導電性金属酸化物の研究
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批准号:X00090----455002
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1979
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负责人:小間 篤
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依托单位:
固体界面の低速電子分光
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批准号:X00090----255004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1977
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负责人:小間 篤
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依托单位:
低速電子分光による化合物半導体表面の研究
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批准号:X00040----220312
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1977
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负责人:小間 篤
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依托单位:
低速電子分光による化合物半導体表面の研究
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批准号:X00040----121109
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1976
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负责人:小間 篤
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依托单位:
海外基金