原子モアレ変調構造の走査トンネル分光

原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱

• 批准号: 06236204
• 负责人: 小間 篤
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06236204/
• 关键词: 走査トンネル顕微鏡; 層状物質; 超薄膜ヘテロ構造; モアレ変調構造; アルカリ金属吸着

本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成6年度は、これまでにモアレ変調構造を測定した物質以外の層状物質間でのヘテロ構造を作製し、変調構造が現れるかどうか実験を行った。また昨年に引き続き、アルカリ金属吸着により層状物質表面に現れる局所的電子変調構造のSTM像及びトンネルスペクトルの測定を行い、金属や層状物質の種類の違いによる差異が現れるかどうかの検証を行った。金属性の層状遷移金属ダイカルコゲナイドTaSe_2基板上にMoSe_2薄膜を成長した試料では、これまでの所モアレ変調構造は観察されていない。自由電子による遮蔽効果がその原因としては考えられるが、詳細は検討中である。またMoS_2基板上にIII-VI層状化合物半導体GaSeの薄膜を成長した試料でも、やはりモアレ変調は観察されていない。成長する薄膜物質のフェルミ準位近傍に存在するd軌道の電子に対する変調作用がモアレ構造を発現させていると考えている。アルカリ金属吸着表面では、これまでのNa吸着の他、Cs吸着表面でも同様の変調構造が現れることが確認された。また価電子帯領域のSTM像に現れる輝点は、リング状の構造ではなく、非対称なU字型の構造を持つことが見いだされた。さらにこの価電子帯領域での電子変調は、真空中に鋭く突き出ており、STM探針先端を逆に操作する形となり、先端構造を反映したゴ-スト像が現れることも見い出された。

は, this study フ ァ ン デ ア ワ ー ル ス · エ ピ タ キ シ - method に よ っ て cropping さ れ た layered material に よ る ultrathin membrane ヘ テ ロ の structure surface, walkthroughs ト ン ネ ル 顕 micro mirror (STM) like に now れ る, long cycle モ ア レ - adjustable structure の micro visual interpret を target と し て い る. 6 annual は, pp.47-53 こ れ ま で に モ ア レ - the structure determination of を し た substance outside の layer between で の ヘ テ ロ structure し, - the を cropping が now れ る か ど う か be 験 を line っ た. ま た yesterday in に lead き 続 き, ア ル カ リ metal sorption に よ り layered material surface に now れ る bureau of electronic - adjustable structure の STM as and び ト ン ネ ル ス ペ ク ト ル の や を い, metal layered materials are の kinds の violations い に よ る differences が now れ る か ど う か の 検 line card を っ た. Migration of metallicity の layer metal ダ イ カ ル コ ゲ ナ イ ド TaSe_2 substrate に を MoSe_2 film growth し た sample で は, こ れ ま で の is モ ア レ - adjustable structure は 観 examine さ れ て い な い. The effect of free electron による shielding is がそ, the cause is と と て て えられるが to study えられるが, and the details are discussed in である. ま た MoS_2 substrate に III - VI layered compound semiconductor GaSe を の film growth し た sample で も, や は り モ ア レ - adjustable は 観 examine さ れ て い な い. Growth す る thin film material の フ ェ ル ミ must exist a nearly alongside に す る d orbitals の electronic に す seaborne る - adjustable function が モ ア レ tectonic を 発 now さ せ て い る と exam え て い る. ア ル カ リ metal surface sorption で は, こ れ ま で の Na sorption の he, Cs sorption surface で も with others の - adjustable structure が now れ る こ と が confirm さ れ た. ま た 価 electronic 帯 の STM as に now れ る fai は, リ ン グ shape の tectonic で は な く, says な U type の tectonic を seaborne hold つ こ と が see い だ さ れ た. さ ら に こ の 価 electronic 帯 で の electronic variations in に sharp く は, vacuum き out て お り, STM probe apex を inverse に operation す る form と な り, apex structure を reflect し た ゴ - ス ト like が now れ る こ と も see い out さ れ た.

项目成果

H.Abe,K.Kataoka,K.Ueno,A.Koma: "STM Observation of Metal-adsorbed Layered Semiconductor Surfaces." Jpn.J.Appl.Phys.(印刷中). (1995)

H.Abe、K.Kataoka、K.Ueno、A.Koma：“金属吸附层状半导体表面的 STM 观察”（Jpn.J.Appl.Phys）（出版中）。

H.Yamamoto,Y.Soshii,K.Soiki,A.Koma: "Improved Heteroepitaxial Growth of Layered NbSe_2 on GaAs(111)B" J.Vac.Sci.Technol.A12. 125-129 (1994)

H.Yamamoto、Y.Soshii、K.Soiki、A.Koma：“改进 GaAs(111)B 上层状 NbSe_2 的异质外延生长”J.Vac.Sci.Technol.A12。

K.Ueno,M.Sakurai,A.Koma: "Van der Waals epitaxy on hydrogen-termirated Si(111) Surfaces and investigation of its growth mechanism by atomic force microscope" J.Cryst.Growth. (印刷中). (1995)

K.Ueno、M.Sakurai、A.Koma：“氢终止 Si(111) 表面上的范德华外延及其通过原子力显微镜研究其生长机制”J.Cryst.Growth（出版中）。 ）